P：Process
V：Voltage
T：Temperature
1.工艺角-process corner
不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。
TT：nmos -Typical corner & pmos -Typical corner
FF：nmos -Fast corner & pmos -Fast corner
SS：nmos -slow corner & pmos -slowl corner
FS：nmos -Fast corner & pmos -slow corner
SF：nmos -slowl corner & pmos -fast corner
注：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是一个平均值；
Fast是指晶体管驱动电流是最大值；
Slow是指晶体管驱动电流是最小值。
除了工艺角外，还有电压、温度和最好/坏的情况等条件才组合成PVT(Process、Voltage、Temperature)条件。
电压：1V+10% ,1V ,1V-10%
温度：-40C , 0C, +25C, 125C
时序分析中：
最好的条件（Best Case）——速度最快的情况；
最坏的条件（Worst Case）——速度最慢的情况；
会依据仿真需求，使用不同的PVT组合，
——以用于STA分析。
WCS(Worst Case Slow):slow process,high temperature,lowest voltage
TYP(Typical):typical process,nominal temperature,nominal voltage
BCF(Best Case Fastl):fastl process,lowest temperature,high voltage
WCL(Worst Case @coldl):slowl process,lowest temperature,lowestl voltage
——以用于功耗分析
ML(Maximal Leakage):fast process,high temperature,high voltage
TL(Typical Leakage):typical process,high temperature,nominal voltage
——另一组合条件：Scenarios
Scenarios=Interconnect + operation mode + PVT
1.内连线情况：Interconnect corner
即制造对互连线的影响；R_typical C_typical；R_maxl C_max；R_minl C_min；R_maxl C_min；
2.工作模式：function mode ，scan mode, sleep mode, standby mode, active mode
对多种Scenarios的综合分析，称之为MMMC(Multi-Mode Multi-Corner)分析。
OCV可用来描述PVT在单个芯片所造成的影响。
温度反转效应
原文链接：https://blog.csdn.net/u011729865/article/details/70244709
