模拟IC基础-MOS管1

MOS管

衬底电位：衬底电压要保证源漏PN结反偏。

阈值电压Vth：表面电子浓度等于衬底多子浓度时的VG。


阈值电压

MOS的工作区：

1.截止区：0<Vgs<Vth        均匀的沟道电荷


截止区

2.线性区：Vgs>Vth,Vds<Vgs-Vth        均匀减少的沟道电荷


线性区


3.饱和区：Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth        沟道被夹断


饱和区


MOS管的漏极电流Id

1.线性区


特别的：

深线性区

（深线性区可以作为压控电阻）

2.饱和区

（作为恒流源）


3.截止区：Id = 0

（作为模拟开关）

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