如图1，是n型MOS（NMOS）器件的基本结构。器件制作在p型衬底上（bulk或body），两个重掺杂区间车分别为源端（S）和漏端（D）。源端与漏端之间的重掺杂多晶硅（导电的，poly）为栅级称帝（G）。中间隔着一层薄薄的SiO2与衬底隔离。器件的有效作用发生在栅氧下的衬底区。
图1 MOS器件的结构
L：栅长（源漏方向的栅级尺寸）
W：栅宽（与源漏垂直方向的栅的尺寸）
在制作过程中，源漏之间的实际距离略小于L（现工艺下是略大于）。Leff=Ldrawn-2Ld
Leff:有效沟道长度（工艺线宽）
Ldrawn:沟道总长度
Ld:横向扩散长度
MOS电路的性能受有效沟道长度Leff和氧化层厚度tos影响。
Vth：阈值电压（沟道所对应的VG）
长沟道λ一定是小的，短沟道λ一定是大的。
