1. 给出了华为三星及英特尔的常用FLASH参考电路；
2. 结合datasheet解说2 bit以及4 bit的NAND FLASH;
3. 调试思路总结以及简单的调试经验分享； 4. 最新的3D Xpoint技术介绍。 首先，我要用这张图来说明存储器近70年的发展历程，纵观这70年的发展，可以发现主要是在容量，速度以及寿命等方面出现了飞跃式增长。
NOR FLASH和NAND FLASH的工程应用电路如下图所示，电路结构很简单，是非常常用的电路单元，就不多说了
还有一种应用电路也很常用，目前的实际工程也经常使用，就是2 bit或者4 bit NAND FLASH的应用单元电路，硬件工程师在选取器件时，有一项规格参数就是让选择X1/X2/X4的这一项，这个就是用来选择几个bit的，电路形式略有不同，如下图所示。
3D Xpoint是自NAND Flash推出以来，最具突破性的一项存储技术。比NAND速度快1000倍以上，寿命是NAND的1000倍以上。并且具备以下四点优势，3D Xpoint被看做是存储产业的一个颠覆者：
（1）比NAND Flash快1000倍；
（2）成本只有DRAM的一半；
（3）使用寿命是NAND的1000倍；
（4）密度是传统存储的10倍；
3D XPoint的工作原理与NAND存在着根本性的不同。NAND通过绝缘浮置栅极捕获不同数量的电子以实现bit值定义，而3D XPoint则是一项以电阻为基础的存储技术成果，其通过改变单元电阻水平来区分0与1。
