TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。

1. ITCM 用于指令
2. DTCM 用于数据
   特点是跟内核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度。
   速度：480MHz（和芯片的速度一致）
   DTCM 地址：0x2000 0000，大小 128KB。
   ITCM 地址：0x0000 0000，大小 64KB。

各块 SRAM 的特性对比如下，特别注意他们支持的最大速度和容量大小。

1.AXI SRAM 区
位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB 主控不能访问，其它都可以访问此 RAM 区。
速度：200MHz。
地址：0x2400 0000，大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。
2.SRAM1，SRAM2 和 SRAM3 区
位于 D2 域，数据带宽是 32bit，挂在AHB 总线上。除了 D3域中的 BDMB主控不能访问这三块SRAM，其它都可以
访问这几个 RAM 区。
速度：200MHz。
SRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 域断电后用于运行程序代码。
SRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以用于用户数据存取。
SRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。

3. SRAM4 区
   位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
   速度：200MHz。
   地址：0x3800 0000，大小 64KB。
   用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby 待机方式后，继续保存用户数据。
4. Backup SRAM 区
   备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访问这块 SRAM区。
   速度：200MHz。
   地址：0x3880 0000，大小 4KB。
   用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

把程序烧录在TCM中（使用MDK）

Keil MDK中，您可以使用attribute((section(".RAMTCM")))来指定一个函数或变量存储在TCM中

#include <stdint.h>

// 定义一个函数并将其存储在TCM中
__attribute__((section(".RAMTCM"))) void myFunctionInTCM(void)
{
    // Your code here
}

// 定义一个变量并将其存储在TCM中
__attribute__((section(".RAMTCM"))) uint32_t myDataInTCM = 0;

使用attribute((section(".RAMX")))来指定一个函数或变量存储在SRAM的任意一块内存中，其中"X"代表SRAM的具体区域名称
将函数或变量放入SRAM特定区域的示例：

__attribute__((section(".RAM1"))) void myFunctionInSRAM1(void)
{
    // Your code here
}

将一个变量放入SRAM2区域：

__attribute__((section(".RAM2"))) uint32_t myDataInSRAM2 = 0;