Ⅰ型，Ⅱ型，Ⅲ型异质结

Ⅰ型异质结-跨立型 (straddling gap）

Ⅰ型异质结

a结构中，由于B的价带和导带分别高于和低于A，在光照条件下，A中的电子和空穴均会聚集在B的价带和导带上，不能起到分离作用

Ⅱ型异质结-错开型 (staggered gap)


Ⅱ型异质结

只有当接触的两种半导体之间有合适的价带和导带关系才能构成异质结

Ⅲ型异质结-破隙型 (broken gap)

Ⅲ型异质结

c结构中，由干B的导带位置甚至低干A的价带位置，A中的电子和空穴无法传递到B中。仅仅当两种半导体的价导带位置处干b型的时候，才能真正起到电子空穴有效分离的作用

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