1.P型：Positive，P+，多子为空穴+；
N型：Negitive，N-，多子为电子-；
2.图形符号：箭头永远为P指向N，与虚线的交点处是什么就是什么型MOS；
3.为什么叫反型层？
因为对NMOS而言，衬底为P型硅，P为多子，但是当UGS》0时，在衬底与栅极接触面会形成薄薄的N型薄层，叫做P型衬底的反型层。
4.什么是PN结？
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5.PN结的正接与反接？
P（+）接正极，N（-）接负极为正接，反之为反接。
扩散电流才是主流；漂移电流即为反向电流，随温度变化而急剧变化。
6.二极管和PN结关系？
二极管由PN结加上引线和管壳组成。
7.本专栏另一篇文章是讲绝缘栅型场效应管IGFET，绝缘指的是栅极与沟道之间处于绝缘状态。
8.具体N或P沟道理解：沟道就是反型层，即少子形成的导电层。以N沟道为例，N沟道说明N为少子，P为多子，所以P为基底，两侧N为源极或漏极。P沟道理解与此相似。
9.耗尽型或增强型理解：
增强型：UGS=0时，无导电沟道；加电UGSth后，形成导电沟道。
耗尽型：UGS=0时，管内已建立沟道，加上漏源电压后，便会产生漏极电流ID。加上适当极性的UGS，ID就逐渐减小（耗尽）。
10.耗尽层就是指PN结的空间电荷区。
