1.通过布局上优化，把可能发生的干扰降到最低。
2.通过去耦和滤波的方式来减小高频信号造成的干扰
2.1在PCB的电源，地线之间接上10~100uF的去耦电容，地线＞电源线＞信号线
2.2数字地和模拟地分开
对抗噪能力弱，关断电流变化大的器件，以及ROM、RAM，应在VCC和GND间接去耦电容；在单片机复位端"RESET"上配以0.01uF的去耦电容；去耦电容的引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能带引线。
集成电路电源和地之间的去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1UF。此电容分布电感的典型值是5uH。它的并行共振频率是7MHZ左右，也就是说，对于10MHZ以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHZ以上的噪声几乎不起效果，1uF、10uF的电容，并行共振频率在20MHZ以上，去除高频噪声的效果要好一些。
