从DDR的访存特性来说，对同一块DDR，两个访存操作之间需要一些时间间隔，这里面包括CL (CAS时延）, tRCD（RAS到CAS时延），tRP（预充电有效周期）等。
为了提高DDR的访存速度，可以使用多通道(channel)技术。典型的台式机和笔记本CPU很早就支持双通道，现在还加入了三通道。如果数据分布在插在不同的通道上的内存条上，内存控制器可以不管上面这些延迟啊时序啊，同时读取他们，速度可以翻倍甚至三倍（如果支持的通道数更多，则速度提高的更多）。高通的第一代ARM服务器SoC芯片使用了4个DDR控制器，即支持四通道。
但是由于程序的局限性，一个程序并不会把数据放到各个地方，从而落入另一个DIMM里，往往程序和数据都在一个DIMM里，加上CPU的Cache本身就会把数据帮你预取出来，这个多通道对速度的提高就不那么明显了。
这时就要使用另外一种提高速度的方法了，就是让同一块内存分布到不同的通道中去，这种技术叫做交织，Interleaving. 这样无论Cache命中与否都可以同时存取，多通道的技术才能发挥更大的用处。
