每日计划

投入:3800

产出:3000

PH MOV:保底19.6k 冲刺20k

3N 24点confirm完成ACT,

早上六点完成ACT strip

NQ 24点完成ANL,早上六点开始Confirm ACT

CV 先行lot24点做上ACT etch(OS skip)早上六点完成PVX dep,main lot早上六点ACT etch清空

CH 24点清空Via mask,早上六点Via strip清空

DK 先行lot早上六点完成FGI

DP 24点完成ACT etch,早

上六点confirm上GI

RC 24点清空buffer etch,早上六点1ITO dep,先行lot24点完成Via etch,早上六点confirm上2ITO

3M 第一批加急,凌晨三点清空Array

CQ 24点ANL清空,早上六点SD mask清空 24点confirm好Via ,早上六点完成Via etch

2D 凌晨四点清空Array

2F 24点 buffer etch清空,早上六点buffer strip清空

PJ 24点confirm上via,早上六点完成mask C2

RP 24点完成MET C1,早上六点完成MET etch

TM 预计凌晨四点出20H管控,2buffer/ORG连续进行,尾lot idle cell风险极高

HP 24点完成ASH,早上六点N+清空(产出加急四点连续投入106个lot)

3A 3个尾lot全线加急,24点完成SD dep,早上六点完成N+,需要赶上同批次交付,首lot,24点confirm完成 via,早上六点完成via etch

@尹海报 @王亚东 

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