# 6.19
## 然而SiC和GaN也有一些问题，因为它们的导通关断速度很快，因此在导通关断时，它们的dv/dt和di/dt就很高，我们知道V=L*di/dt，I=C*dv/dt，当电路中有寄生的电感和电容时，高dv/dt必然带来电路中出现EMI电流，而高di/dt会让电压出现尖峰。降低dv/dt和di/dt的办法有几种，一是增大门级电阻，这种办法的原理是减慢PN结的充电电流，让开关暂态过程变慢。另外一种是降低电压，也是让暂态过程变慢，这两种方法都会提高开关损耗。因此，对于宽禁带器件，需要在开关速度和开关损耗之间做一个取舍。从根上解决EMI的办法还是减小寄生参数，把电路板设计好，在绝缘和散热足够的情况下，尽量减小走线距离，增大走线宽度。
