关于智能功率半导体产品线的基本参数整理，涵盖制程工艺、封装类型、关键电气特性等核心数据：
一、功率器件（Discrete Devices）
1. 平面MOSFET（Planar MOSFET）
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 电压范围（VDS） | -600V~1700V | 漏源电压，直接影响器件的工作状态、电流能力和可靠性。 |
| 导通电阻（RDS(on)） | 3.7mΩ~120000mΩ（@VGS=10V） | 150℃漏电<20μA |
| 制程工艺 | 0.35μm BCD工艺 | 6英寸晶圆，产能20k片/月 |
| 封装类型 | TO-220F/TO-247/TO-263 | 支持正面焊接（镀金工艺） |
| 开关频率 | 100kHz~1MHz | 雪崩能量（EAS）>100mJ |
2. 超结MOSFET（SJ-MOSFET）
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 电压平台 | 600V~850V | |
| 导通电阻（RDS(on)） | 19mΩ~1100mΩ（@VGS=10V） | 集成快恢复二极管（Qrr降低30%） |
| 工艺特点 | 多次外延（Multi-EPI） | 8英寸晶圆 |
| 封装类型 | TO-247/TOLL/D2PAK | 支持高密度贴装 |
3. Trench MOSFET（沟槽型MOSFET）
| 参数 | 指标范围 | 技术亮点 |
|---|---|---|
| 电压范围 | 20V~200V (NMOS) | 低栅极电荷（Qg↓30%） |
| 导通电阻 | 1mΩ~50mΩ (@4.5V) | 内阻对标英飞凌OptiMOS™ 5系 |
| 制程工艺 | 深沟槽刻蚀+铜互连 | 6英寸晶圆，产能15k片/月 |
| 封装类型 | DFN3x3/TO-252/SOT-23 | 支持自动化贴装 |
| 开关速度 | tr/tf<10ns | 适用于高频DC-DC转换器 |
4. SGT MOSFET（屏蔽栅MOSFET）
| 参数 | 指标范围 | 核心优势 |
|---|---|---|
| 电压范围 | 30V~300V | RDS(on)低至0.8mΩ |
| 栅电荷 | Qg<25nC (@10V) | 开关损耗比Trench MOSFET降低40% |
| 工艺特点 | 多晶硅屏蔽栅结构 | 兼容硅基/宽禁带器件驱动 |
| 封装类型 | PDFN5x6/TO-263 | 低热阻（RθJA<50℃/W） |
5. SiC MOSFET
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 电压等级 | 650V/900V/1200V/1700V | |
| 导通电阻（RDS(on)） | 17mΩ~1.7Ω（@VGS=18V） | |
| 最高结温（Tj） | 175℃ | 栅极耐压：-5V~+22V |
| 制程工艺 | 沟道自对准（Trench SAC） | 6英寸晶圆，薄片工艺（180μm） |
| 封装类型 | TO-247/DFN8×8/D3 | 支持双面散热 |
6. SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）
| 参数 | 指标范围 | 技术壁垒 |
|---|---|---|
| 电压等级 | 650V/1200V/1700V | 零反向恢复（Qrr=0） |
| 正向电流 | 5A~50A (@25℃) | 结温175℃，高温稳定性优于硅基FRD |
| 工艺技术 | 肖特基势垒优化 | 6英寸晶圆，激光退火工艺 |
| 封装类型 | TO-220AC/TO-247-2L | 兼容传统硅器件封装 |
7. IGBT（绝缘栅双极晶体管）
| 参数 | 指标范围 | 应用场景 |
|---|---|---|
| 电压/电流 | 600V/10A~1200V/200A | 工业变频器/新能源车主驱 |
| 导通压降 | VCE(sat)=1.5V~2.5V | 对标英飞凌TRENCHSTOP™ 5系列 |
| 开关频率 | 8kHz~30kHz | 优化trade-off（Eoff↓20%） |
| 封装类型 | TO-247/TO-3P/D2PAK | 内置温度传感器（NTC可选） |
8. 快恢复高压MOSFET（FRMOS）
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 反向恢复时间（trr） | ≤50ns（@IF=10A） | 软度因子（S.F.）≥0.5 |
| 反向漏电流（IR） | <1μA（@VR=额定电压） | 白金重掺工艺，参数一致性±5% |
| 电压范围 | 300V~1200V | |
| 封装类型 | TO-220/TO-247 | 兼容工业标准引脚 |
二、功率IC（Power ICs）
1. PWM控制器
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 输入电压范围 | 10V~100V | 支持反激/LLC/移相全桥拓扑 |
| 开关频率 | 50kHz~1MHz | 抖频功能（±5%）降低EMI |
| 工艺技术 | SOI BCD | -55℃~225℃工作温度 |
| 封装类型 | SOP-8/MSOP-10/QFN-16 | 兼容TI/ST引脚定义 |
| 待机功耗 | <30mW（空载） |
2. 栅极驱动IC
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 驱动电流（Ipeak） | 0.2A~10A（半桥/三相） | 传播延迟<50ns |
| 隔离耐压 | 600V（强化绝缘） | 支持SiC/GaN器件驱动 |
| 工作电压 | 4.5V~32V | 集成DESAT保护功能 |
| 封装类型 | SOIC-8/SOP-16/SOW-20 |
3. 智能功率模块（IPM）
| 参数 | 指标范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 电压/电流 | 600V/30A~1200V/600A | 内置NTC温度检测 |
| 开关损耗（Eon/Eoff） | ≤1mJ（@25℃） | 集成自举二极管 |
| 封装类型 | DIP-25/D3/QFN | 工业级（-40℃~125℃） |
三、关键工艺与产能
| 工艺平台 | 制程节点 | 晶圆尺寸 | 月产能 | 应用产品 |
|---|---|---|---|---|
| 平面MOSFET工艺 | 0.35μm BCD | 6英寸 | 20k片 | 中高压MOSFET/FRMOS |
| 超结MOSFET工艺 | Multi-EPI | 8英寸 | 2k片 | SJ-MOSFET（600V~850V） |
| SiC MOSFET工艺 | Trench SAC | 6英寸 | 400片 | SiC器件（年底扩至1k片） |
| SOI BCD工艺 | 0.18μm | 8英寸 | - | 功率IC（PWM/驱动） |
四、封装类型汇总
| 封装代码 | 全称 | 特点 | 适用产品 |
|---|---|---|---|
| TO-220F | TO-220 Fullpak | 绝缘封装，耐压2.5kV | 平面MOSFET/FRMOS |
| TO-247-4L | 4引脚增强散热型 | 支持开尔文连接 | SiC MOSFET |
| DFN8×8 | Dual Flat No-lead | 超薄（1mm），适合高频应用 | 栅极驱动IC |
| D3 | D3 Package | 低电感（<5nH），车规级 | IPM模块 |
五、典型功耗对比
| 产品类型 | 工作损耗 | 开关损耗 | 应用场景优化建议 |
|---|---|---|---|
| 平面MOSFET（900V） | Pcond=ID2×RDS(on) | Eoss=30μJ | 工业电源（降低导通损耗） |
| SiC MOSFET（1200V） | RDS(on)降低70% | Qg减少50% | 光伏逆变器（提升频率至100kHz+） |
| 栅极驱动IC | Pdrive=Qg×VDR×fsw | 集成自适应死区控制 | 电机驱动（降低dv/dt噪声） |
工艺与封装补充说明
| 器件类型 | 关键工艺 | 产能 | 封装演进 |
|---|---|---|---|
| Trench MOSFET | 深沟槽+铜填充 | 6英寸/15k片 | 向Chiplet集成（如DrMOS） |
| SGT MOSFET | 多晶硅屏蔽栅+超薄外延 | 8英寸/8k片 | 3D封装（如FCLGA） |
| SiC SBD | 肖特基金属界面优化 | 6英寸/500片 | 双面冷却（DSC）封装 |
| IGBT | 场截止（Field Stop）结构 | 8英寸/3k片 | 模块化（如EconoDUAL™兼容） |
电气特性对比（新增器件）
| 器件类型 | FOM核心指标 | 高温表现 | 系统价值 |
|---|---|---|---|
| Trench MOSFET | RDS(on)·Qgd | 125℃下RDS(on)↑15% | 服务器VRM效率↑1.5% |
| SGT MOSFET | RDS(on)·Ciss | 175℃参数漂移<8% | 电机驱动THD↓25% |
| SiC SBD | VF·Qc | 175℃反向漏电<10μA | 光伏逆变器效率↑1.2% |
| IGBT | Eoff·VCE(sat) | 150℃短路耐受时间≥10μs | 工业变频器体积↓30% |
