PowerSI可以进行S参数提取仿真、电源阻抗提取、走线阻抗耦合检查、平面谐振分析。
下面我们介绍DDR数据线S参数提取仿真，仿真出来的结果有回波损耗S11、插入损耗S12以及串扰S13。
把DDR DQ07的参考层GND故意挖掉，使其阻抗不连续，看看信号质量会发生什么样的变化。
仿真结果预览
最后仿真出来的S11结果
最后仿真出来的S12结果
PowerSI软件在win10 cortana搜索即可，或者在Cadence\Cadence_SPB_17.2-2016\tools\bin找到.powersi.exe
1. 导入BRD文件
2. 设置参数，照着图来就行，写了1万字了，好累，懒得打字了，改的是啥自己体会0.0
3. 点击左侧“check stackup”，设置过孔参数
4. enable要仿真的4根DDR线，还有GND
5. 产生端口，直接点next自动生成端口
6. 点击左侧“setup simulation frequencies”，设置仿真频率，假设是DDR4，我们仿到3次谐波以上，设置8GHz
7. 点击“start simulation”，等待大约10分钟。
前面4个根后面4个没区别，去掉后面4个，右键点击仿真出来的S参数图，选择Y轴以对数显示。
8. 可以看到被切掉一块GND参考层的DQ7的反射非常严重。
9. 查看插损结果，DQ7由于阻抗不连续，DDR收到的能量也明显比其他数据线差的多。
10. 以及串扰结果
