4620 4000rad/min 30s大约7um 100℃坚膜2～3min 曝光5～7s 显影25%TMAH:水=1:8 60～90s 后烘110℃ 5.6.7min都可。
STS深硅刻蚀 快速50min，测台阶345um。
LPCVD苗斌NH3:SiH2Cl2=280:70sccm 785℃ 50min 前25片6寸挡片 25片2寸片中间膜厚仪测209um。张应力GPa，低应力富硅工艺一般在100MPa以内(NH3:SiH2Cl2=12:96sccm，温度850℃)，温度越高，应力越小，NH3:SiH2Cl2比例越大应力越小。
