可以设置的位置
1.在in文件中使用：
除了在工艺流程中注入掺杂元素，还需要在末尾增加激活语句，方能生效。如：
implant phosphorus dose=1.5E12 energy=150
activation.mode phosphorus fraction=1 force.activation=t
2.在layer文件中使用：
除了常规含doping的语句（随便找一个例子）
adjust_doping可以更精细的设置掺杂的属性。
3.在sol文件中使用：
doping 在求解sol文件时
1. 通常场景
默认使用shallow dopants 非全部激活的激活的载流子服从费米分布
2.使用full_ionization可以全部激活掺杂
3.重掺模型
掺杂距离接近波尔半径时，可以用重掺模型dopant_ionization_model。
重掺杂，可以用指令来控制每种材料，如在sol文件中添加：
dopant_ionization_model mater = 3 mott_trans_correction = nol
4. 低温高激活能时
使用pf_model参数
5. 扫描doping
相关命令：newdoping_index
sol文件仿真的时候，除了可以对器件进行扫描电压，电流，时间外，还可以扫描doping
这里扫描doping纯粹是一个概念，他没有对应的物理场景。
跟扩散doping随时间变化不同，这里的doping可以和时间无关，是针对某个区域的doping做纯粹数值上的逐渐变化。
由于低doping时收敛会有困难，这样的做的好处是，可以在一个新的维度上从高到低，逐渐降低器件的掺杂，得到器件最终状态时电性。
当然这里的前提是要对器件预先有充分的理解，知道这样的中间过程不会影响最终的结果才可以做这种操作。
不到万不得已，尽量不要用这种技巧。
6. 载流子密度
根据文件中的band_valleys的数量得出态密度。金属和电阻的 DOS mass 默认设为0.1。DOS mass 按1:1计算传输量
cond_dos_mass_ratio_n：电子和态密度的比值
cond_dos_mass_ratio_p：空穴和态密度的比值
condj_mass_para：第j个谷平行量子阱的载流子数量
condj_mass_perp：第j个谷垂直量子阱的载流子数量
欢迎留言交流，依据您的意见做修改补充。
