先放结论：可以。
这几天在看MOS管的工作原理，看了那么多经典应用电路，一直的疑问是在设计电路时，源漏极到底如何接？这个问题导致我一直没有下笔写关于MOS管的理解。现在先解答一下，源漏极连接及能否反接这个问题，主要以增强型NMOS管为例，或许会挂上PMOS管。
1.源漏极定义
(1)如图，NMOS管有4个极组成。其中，P型半导体作为衬底，用B表示；在衬底上方用氧化工艺生成一层SiO2 薄膜绝缘层(黄色)；扩散两个高掺杂的N型区，从而形成两个PN结（绿色部分），这两个PN节构成NMOS管的寄生二极管，又称体二极管，背对背；从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S；在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G，由于绝缘，和S、D极及衬底之间永远不可能产生电流。
(2)那么，像图中所示，两个N型区，到底哪个是源极，哪个是漏极呢？讲道理，这两个N型区完全对称，谁做源极谁做漏极都可以的。这里有一个判断标准：两个N型区中，和衬底相连的是源级,另一端是漏极，这是由MOS管的工作原理决定的。所以，源极和漏极并不是事先定义好的，而是根据实际元件中，和衬底B极的连接关系决定的。
2.漏源电压能否反接呢？
这个问题围困了我一周。因为看NMOS管的输出特性曲线和转移特性曲线(输入特性曲线)如下图：
UDS反接也就是输出特性曲线图的第三象限应该是什么样子？
当NMOS管的控制电压(栅源电压)>开启电压
(2V以上)时，在D、S之间会形成反型层(又称作导电沟道，因沟道的导电离子极性与衬底的多子极性相反而被称为反型层)。当D、S之间没有电压即
=0时，是不会产生漏源电流
的(如上图左)。只有
>0时，即电动势
>
时才会产生电流
>0，电流从D流向S。
衬底和源极连接，>
且
>0的情况下(正确的工作模式)，NMOS工作原理如下图：
那么，在>
，已形成反型层的情况下，当
<0即电动势
<
时，这种接法对NMOS而言是否可行呢？
按道理讲，衬底内当DS之间的反型层建立，只要在DS之间加电压，就可以产生电流。如果
>
，电流D→S，反之电流方向S→D。这个理解是对的。
(1)从第一个角度来理解。源(Source)极是源头，是能发射或源源不断产生电子多数载流子的一极(在NMOS管中，D、S区的多子就是电子)，漏(Drain)极是损失或中和掉多数载流子的一极。所以，在NMOS管正常工作时，多子(电子)应该是从源极到漏极(而不能反过来)，对应的电流就是从漏极到源极，此时对应的电压就应该是>0。这是从源漏极字面的意思理解。
(2)从第二个角度来理解。源极和衬底B极是短在一起的，两个地方电动势相等，看作0位；当>
时，源极电子和B极少子共同形成反型层，当
>0时，如上面(1)所述，反型层能正常导电；当
<0时(将上图的
正负调换方向后)，初始阶段电流可以从S→D(电子从D→S，毕竟暂时形成的反型层还存在)，但是随着时间延长，源极发射的电子不会朝漏极方向涌动，而是朝
电源的正端涌动，此时反型层会因源极提供的电子减少而消失，而漏极因为与衬底不短接，即使能产生电子也无法传递到衬底层，所以反型层导电沟道彻底消失。此时DS之间只会剩衬底B到漏极D之间的一个寄生二极管，所以当DS之间电源接反时，
电源之间相当于接了一个普通二极管，只有管压降。所以，DS之间的电压也应该是
>0。(这个理解不知道准不准确，还请读者反馈想法，共同讨论)
20200403更新:
感谢@青岛芒果评论。
第二个角度的理解有误：
（1）反型层即N沟道形成用到的电子不是由源极提供，而是衬底少子提供的；
（2）N沟道是自由电子组成，所以可导电。形成电流时用到的电子是由半导体D或者S极提供的多子提供，“源”和“漏”的定义是基于常规UDS》0而言的，当UDS《0时，显然形成电流所需的电子可由“漏”极提供补充。“源”和“漏”不是绝对的。
（3）只要UGS》UGSth，衬底中N沟道将一直存在，此时S端电势高，D端电势低，楔形沟道为左窄右宽。由于，UGS》UGSth，所以不会产生夹断，MOS管此时将一直处于可变电阻区。个人认为不会有饱和区和击穿区，大家可以在评论区留言讨论。
（4）输出曲线第三象限与第一象限不对称。
（5）综上，增强型NMOS的D和S之间的电压是可以反接的，即UDS《0是可以的，推翻第一和第二个角度的讨论。
提出源漏极能否反接这个问题源于读到的一个公众号文章：
这篇文章中重点讲述了利用MOS管进行极性反接保护（需要将文章中的耗尽型MOS管改为增强型NMOS和PMOS才对）。显然，如文章中，两个MOS管在电路中都反接了（NMOS管的<0），这与我的认知相悖，所以才想到认真思考这个问题，并且我利用Cadence进行了仿真，仿真结果如下图：
从仿真结果来看，即使接反了，电路仍然成立。
上面NMOS管处电流方向就是从S→D的，电流显示为负值的原因很可能是：对于NMOS管，默认正的电流方向是D→S，而在上面电路中电流方向是S→D，所以电流仿真结果标识为负号；
稳压二极管是确保UGS之间的电压；
最后经过NMOS的电流是三个之路的电流之和；
采用NMOS防反接原因：N沟道的形成使压降小，功耗低。
综上所述：
MOS管的源漏极是可以反接的。即：
对于增强型NMOS管而言：>0可以，
<0也可以。
对于增强型PMOS管而言，上述结论也成立。
为此问题，我开了一个帖子，里面有相关问答，感兴趣的可以参与讨论：
【开帖子之前结论暂留：
1)对NMOS管而言，要想正常工作，就应该有：>
(2V以上)>0且
>0，即DS之间电源不要反接；
2)若<0，那么NMOS管是无法正常工作的，只相当于在
之间接了一个普通二极管，如果电流过大，可能会损坏NMOS管；
3)从1)所述的NMOS正常工作模式看出：S极的电位最低，往往接地。
注：PMOS管理解与此相似，其正常工作模式为：<
<0且
<0；PMOS管正常工作模式看出S极的电位最高，往往接电源。这就解释了为什么很多博文中写道：NMOS管的源极往往接地，PMOS管的源极往往接Vcc。
】
参考(链接2有S与B不短接情形说明)：
