前言
三极管是一种电流信号放大器件。
三极管是有源器件，正常工作需要外加电源。
给三极管输入小电流，能够得到几十、几百倍的输出电流。
像是一个水龙头，我们轻轻转动阀门，就可以控制很大的水压、水流。
电路符号
如图，圆圈中的标志即是三极管的电路符号。它有三个引脚b-c-e（绿色字体），分别是基极Base，集电极Collector，发射极Emiter。
9013是一种三极管器件型号。
常见的低频小功率三极管型号有9012,9013，8050，8550……
电流放大特点体现为：IC=β·IB，β是放大倍数。以及，IE=IB+IC=(1+β)·IB
器件外形
图下的字符是器件封装名称，器件型号一般印刷在器件上。
引脚识别参考下图，但还是请以具体器件的型号手册为准。
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信号放大原理
结构决定性质。
先看三极管组成结构，以NPN型三极管为例：
NPN三极管由两片N型半导体夹着一片P型半导体组成，分别引出3个引脚：集电极Collector，基极Base，发射极Emitter（后文简称C、B、E）。
中间基区的P型很薄很薄且掺杂浓度低，下面发射区的N型比上面集电区的N型掺杂浓度高得多。这两个特点很重要。
由图可见，形成了两个方向相反的PN结（白色区域代表空间电荷区，红色箭头代表内电场方向）。所以，在C-E两个引脚间无论加哪个方向的电压都不会导通。
当在B-E间加正偏电压后，BE间PN结（称为发射结）导通，内电场（下方的白色区域）被削弱变窄，发射区电子扩散到基区，在基极外电源的作用下形成基区电流iB。基极和发射极形成一个电流回路，能够产生持续的电流。
因基区较薄掺杂浓度低，扩展到基区的电子又很多，所以不会全部被空穴复合，多余的电子就会继续向电子浓度稍低的集电区扩散，同时也会受到B-C集电结的内电场作用，漂移到集电区。但是集电极和发射极之间不存在导电回路，便不会产生持续的电流。此时，如果在C-E间也施加正向电压，那么集电区收集到的电子会通过Vce电压泵的作用流向E极，便产生了持续电流。
要注意的是，此时VBase≈0.7V,如果集电极电位Vc较小，比如小于0.7V，那么集电结正偏，内电场被削弱，集电极收集电子的能力也变弱，电流很小。当VC>VB时，集电结反偏，内电场被加强，收集电子能力增强，基区电子就会成功被吸入输出回路。
如果增加基极电流，那么扩散到基区的电子也会增加，集电极收集到的电子数量也成倍增加。
如果一直持续增加Vce，却发现输出回路电流不再增加。因为集电结反偏，收集电子能力大大增强，基区电子除了被基极B吸收进入输入回路（左红圈回路），其余几乎都被集电极“抢走”，即便Vce继续增加，单位时间内扩散到基区的电子数依然不变，电流iC也就几乎不增加。输出回路的载流子环路中（右红圈回路），电子的流量，受到发射结在单位时间内扩散运动产生的自由电子数限制，而扩散运动的强度受基极电位VBE影响。
传输特性
根据以上分析，便可以更加容易理解三极管的伏安特性曲线了，如下图：
横轴vCE，纵轴iC 。
图中有多条平行曲线，分别对应于输入iB为100uA，80uA……0的情形。可以看到，在VCE比较大的时候，也就是放大区，随着iB的等比例增加，输出iC也是等比例增加的，放大倍数β=4mA/100uA=40倍
我们把这幅图分为3个区。
截止区：输入电流 IB为零，输出 IC也是零。
饱和区：由于vCE太小（一般<1V），集电极收集电子数小于扩散电子数。
放大区：vCE增加到1V附近时，集电结反偏收集电子能力增强，基区电子除了被基极B吸收，其余都被集电极“抢走”，即便Vce继续增加，电流iC增加也不明显。
一般在信号放大电路中，我们使用三级管的放大区，利用iC=β·iB。
有时候使用三极管的截止区，将三极管当做开关使用。
补充
本文提到的三极管，叫做BJT，双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor）。双极Bipolar 的意思是这种器件的载流子有两种极性。和半导体不同，一般导体（金属）的载流子只有自由电子。
三极管有NPN和PNP两种，如果使其工作在放大区，都需要发射结正偏，集电结反偏。
画图方法：三极管符号中有个小箭头，它代表发射结P→N的方向。所以，小箭头都是画在B-E引脚之间，小箭头方向代表P→N。B-C之间不画箭头。
图中红色箭头代表电流方向，不属于电路符号，是我特意标出来给大家看的，两种类型三极管的共同特点：
1、IC=β·IB，
2、IE = IB+IC=(1+β)IB≈IC （因为 β>>1，一般为几十到几百）
3、如果工作在放大区，都需要发射结正偏，集电结反偏
