2020.11.20第十五天学习总结
主要内容为存储器讲解和软件仿真操作方法
存储器
1.用来存储程序代码和数据。
2.按存储介质特性主要分为易失性存储器和非易失性存储器。
（易失与非易失是指在存储器断电后，存储的数据的内容是否会丢失。）
易失性存储器：存取速度快，典型代表为内存。
非易失性存储器：可长期保存数据，典型代表为硬盘。
3.RAM 存储器
随机存储器（属于易失性存储器）
当存储器中的消息被读取或写入时，所需的时间与这段信息所在的位置无关，即RAM可随意读取其内部任一地址的数据，时间都是相同的。
（早期计算机使用磁鼓寄存器，磁鼓只能按顺序读写）
如今RAM指的就是易失性半导体存储器。
根据RAM的存储机制可分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。
4.DRAM 动态随机存储器
以电容的电荷表示数据，由于电容的收放点特性，因此需要定期刷新操作，因此为动态。
刷新操作是对电容进行检查。电量大于1/2，表示1，并充满电容；电量小于1/2，代表0，并放空电容。
（1）SDRAM 同步动态随机寄存器
DRAM加上时钟进行同步通信，但只能在时钟上升沿表示有效数据。
相较于SRAM的通信速度更快。
（2）DDR SDRAM 双倍数据传输的同步动态随机存储器
更高效的SDRAM存储器，特点是时钟上升沿和下降沿各表示一个数据。
相较于SDRAM的通信速度提高一倍。
DDRII和DDRIII只是提高了同步时钟的频率。
5.SRAM 静态随机存储器
以锁存器来存储数据，无需定期刷新，因此为静态。
根据通信方式分为同步SSRAM和异步SRAM，异步SRAM较为常见。
6.DRAM和SRAM的应用场合。
DRAM相较于SRAM的优点：成本更低，集成度更高。
缺点：存取速度慢（由其电容结构决定）。
SRAM多用于CPU内部的高速缓存，DRAM多用于外部扩展的内存。
7.ROM存储器
只读存储器（属于非易失性存储器）
后期设计出了可以方便写入数据的ROM，但只读的名称被沿用了。
如今ROM指的就是非易失性半导体寄存器。
（1）MASK ROM（正宗的只读存储器）
出厂后存储数据不可修改。
大批量生产时成本低。
（2）OTPROM 一次性可编程存储器
出厂时内部没有资料，用户仅可写入一次内容，之后不可修改。
可用来存储秘钥。STM32F429系列芯片内部有一部分OTPROM空间。
（3）EPROM可 重复擦写存储器
可通过紫外线照射芯片内部来擦除数据。（已被EEPROM取代）
（4）EEPROM 电可擦除存储器
可直接使用电路控制擦除与写入。可按字节为单位修改数据。
8.Flash 存储器（又称闪存，或Flash ROM）
属于可重复擦写的存储器。
容量一般比EEPROM大得多。
擦除时一般以多个字节为单位。
根据存储单元电路可分为NOR Flash和NAND Flash。
Flash的擦除次数有限（约为10万次左右）。
9.NOR与NAND的共性：数据写入前都要有擦除操作。
擦除操作以“扇区/块”为单位（以多个字节为扇区）。
特性分别为：
（1）NOR的地址线与数据线分开。可按“字节”读写数据。
（NOR上存储代码指令，在CPU与NOR进行数据交换时无需额外的处理操作。）
（2）NAND的数据和地址线共用。只能按“块”读写数据。
（NAND上存储了代码指令，CPU给NAND地址后，无法直接返回该地址的数据。）
（3）NOR Flash支持XIP；NAND Flash不支持XIP。
（4）Flash在接近寿命时会出现操作失败现象。
NAND为整块擦写，因此会出现坏块（整块失效）。NOR则寿命更长。
Flash会使用“探测/错误更正”（EDC/ECC）算法来确保数据的正确性。
（5）NOR Flash一般用于代码存储。如嵌入式控制器内部的程序存储空间。
NAND Flash一般用于大数据量存储。如SD卡、U盘、固态硬盘等。
10.非易失性存储器还包括光盘、软盘、机械硬盘等。
