1、abstract：
（1）紧凑的闭合偏滤器极大提高再循环中性粒子的捕获，增加辐射、电荷交换损失、降低电子温度和热流。
（2）闭合结构可以使偏滤器更低上游电子密度实现高耗散和脱靶状态。
（3）闭合结构对于中性密度和压力的影响，以及中性密度和压力与偏滤器状态的相关性被观测。
（4）D分子-D离子弹性碰撞，中性-中性碰撞过程被评估。
2、introduction：
（1）控制热流沉积和靶板侵蚀，是未来的主要问题。
（2）<5eV，压制由于溅射引起的侵蚀。
（3）增加闭合性，增加中性密度，从而增加能量耗散。
（4）AUG、C-Mod、DIII-D相关实验表明，闭合机构可以在更低密度实现强能量耗散和脱靶。
（5）中性和等离子体物理的相关性有待评估。
（6）相同的输入参数，修改baffle，对比open和closed
（7）闭合斜槽偏滤器，提高了再循环中性粒子和杂质的捕获，增加辐射和电荷交换损失，从而降低靶板温度和热流。
（8）原子反应列表。
（9）SOL宽度映射到OMP,和热流宽度相当。
（10）不考虑抽气和喷气，化学溅射Ychem=0.01。D=1.0、Xi=Xe=0.25.
3、simulation results
（1）ne、te、q平行上有剖面。
（2）热流温度，闭合比开放Te低很多，1.7-18eV。q垂直3.7MW-14MW（包括表面再复合能）。
（3）ne，open2.5e20m-3，闭合9e20m-3。
（4）粒子流峰值，12e23-3e23，闭合偏滤器提高中性捕获，降低分子、原子损耗。
（5）原子密度，1.8e19-2.3e20。分子密度，0.16e20-2.3e20。从open-closed。
（6）分子通过入射离子流被挡板捕获，D2粒子在wall一侧积累，密度峰值发生。
（7）D2密度在SP很低，由于给的Te（迅速的分离和电离）。
（8）对于open，D2粒子扩散，沿着wettedD2峰值在SP（最高的粒子流位置），分子密度最高的位置，Te更低。
（9）假设<1eV,作为强烈的脱靶，open，4.2e19m-3。closed，2.4e19m-3。
（10）<5MW,3.4e19,2.2e19。
（11）流翻转，对应电子温度5-10eV，由于<1eV体复合才明显，流翻转主要是离子-中性碰撞的动量损失，和跨场输运动量损失。
（12）辐射能主要是由于C离子和D原子，不包括分子辐射，分子间接影响功率辐射。
（13）在靶板附近喷D2可以在更低的上游密度脱靶。
（14）D2-D+弹性碰撞，分子弹性碰撞包括在模型中。
（15）气体分子是由于从离子弹性碰撞的动量装换。
（16）分子弹性碰撞导致能量从D+转移到D2,导致加热D2,极大地增加pD2。
（17）增加SP附近pD2，D2，增加nD2,更多的热补偿。
（18）两体中性碰撞，D-D2，D-D,D2-D2。
（19）不同的把版本比n-n碰撞的影响更大。弹性碰撞对于等离子体的求解即使nD2，7.0e20。
（20）增加PFR的中性呀，因此改变有效抽气。
4、discussion and conclusions
（1）闭合显著增加中性密度，降低电子温度。
（2）分子-离子弹性碰撞增加nD2，导致更低的电子温度，更早脱靶。
（3）抽气在slot会降低D2密度，
