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1.本征半导体
- 单质半导体材料是具有 4 价共价键晶体结构的硅 Si 和锗 Ge。
- 导电能力介于导体和绝缘体之间。
- 特性：光敏、热敏和掺杂特性。
- 本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物 理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越 高，本征激发越强。
- 空穴是半导体中的一种等效+q 的载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位， 使局部显示+q 电荷的空位宏观定向运动。
- 在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为 复合。当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体
- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
- P 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 3 价元素（多子是空穴，少子是电子）。
- N 型半导体：在本征半导体中掺入微量的 5 价元素（多子是电子，少子是空穴）。
- 杂质半导体的特性
- 载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
- 体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
- 在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3. PN 结
- 在具有完整晶格的 P 型和 N 型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN 结）。
- PN 结中存在由 N 区指向 P 区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
- PN 结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
1.正偏 PN 结（ P+， N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为 0.6-0.8V，锗材料约为 0.2-0.3V。
2.反偏 PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流 Is。
3.PN 结的伏安（曲线）方程：
PN 结的伏安（曲线）方程：
PN结的形成
PN结的接触电位差
PN结的伏安特性
PN结的伏安特性
结论： PN结具有单向导电性
PN结电流方程
PN结的反向击穿特性
PN结的电容
PN结的电容
PN结的电致发光
PN结的电致发光
PN结的光电效应
PN结的光电效应
