SDRAM 特性
（1） 通常情况下， SDRAM 是拥有四个 Bank 的动态刷新存储器，存储器工作在 3.3V 的电压下，拥有一个同步接口，SDRAM 的所有信号都在时钟信号的上升沿被寄存。 (DDRDRAM工作电压是 2.5V、 DDR2 SDRAM 工作电压是 1.8V)。
（2） 对于 256Mb 的 SDRAM，每个 Bank 存储 64Mbit（67108864bit）的数据。当 SDRAM的数据位宽为 4bit 时，这些数据组成 8192 行*2048 列，每个存储单元存储 4bit 数据。当SDRAM 的数据位宽为 8bit 时，这些数据组成 8192 行*1024 列，每个存储单元存储8bit 数据。当 SDRAM 的数据位宽为 16bit 时，这些数据组成 8192 行*512 列，每个存储单元存储16bit 数据。
（3） 对于常用的一款型号为 HY57V281620 的 SDRAM 芯片，总共有 128Mbit 的存储空间， 其具有4 个 Bank，每个 Bank 存储32Mbit（33554432bit）的数据。 SDRAM 的数据位宽为16bit，这些数据组成 4096 行*512 列，每个存储单元存储 16bit 数据。
（4） 对于 SDRAM 的读写是以突发的方式进行的，对 SDRAM 的操作（读或写）是从一个指定的地址开始，并按照编程好的数量(长度)的地址， 顺序读写数据。对 SDRAM的操作（读或写）是以一个激活命令（包含打开行地址） 开始，然后跟随一个读或写命令。伴随着激活命令，
A0-A12 上同时被寄存的数据是期望获取位置的行地址， BA0 和BA1 上被寄存的数据是期望获取位置的 Bank 地址。伴随着读/写命令， A0—A8 上同时被寄存的数据是期望获取位置的列地址的首地址。
SDRAM 上电初始化时序
1. 加载电源（ VDD 和 VDDQ）；
2. CKE 设置为低低电平（ LVTTL 逻辑低电平）；
3. 加载稳定的时钟信号；
4. 等待至少 100us 的时间，此过程中的命令保持为禁止命令或空操作命令；
5. 在步骤 4 的 100us 中的某个时刻，将 CKE 设置为高；
6. 步骤 4 的 100us 等待时间结束后， 随即可发出一个全部 BANK 的预充电命令；
7. 等待时间 tRP，此过程中命令保持为禁止命令或空操作命令；
8. 步骤 7 钟的等待时间 tRP 结束时， 发出一个自动刷新命令；
9. 等待时间tRFC（Auto refresh period），此过程中命令仅允许是禁止命令或空操作命令；
10. 步骤 9 中的等待时间 tRFC 结束时， 再发出一个自动刷新命令；
11. 再等待时间 tRFC， 此过程中命令仅允许是禁止命令或空操作命令；
12. 步骤 11 中的等待时间 tRFC 结束时， 发出装载模式寄存器命令设置模式寄存器， 具
体模式寄存器的值由A0~A11 传输；
13. 等待时间 tMRD， 此过程中命令仅允许是禁止命令或空操作命令；
SD卡的写操作流程如下
1、 拉低片选CS引脚， 发送命令CMD24（ 0x58）读取单个数据块，命令发送完成后等待SD卡返回响应数据；
2、 SD卡返回正确响应数据0x00后， 等待至少8个时钟周期， 开始发送数据头0xfe；
3、 发送完数据头0xfe后，接下来开始发送512个字节的数据；
4、 数据发送完成后，发送2个字节的CRC校验数据。 由于SPI模式下不对数据进行CRC校验， 直接发送两个字节的0xff即可；
5、 校验数据发送完成后，等待SD卡响应；
6、 SD卡返回响应数据后会进入写忙状态（ MISO引脚为低电平）， 即此时不允许其它操作。当检测到MISO引脚为高电平时， SD卡此时退出写忙状态；
7、 拉高CS引脚，等待8个时钟周期后允许进行其它操作。
SD卡的读操作流程如下
1、 拉低片选CS引脚， 发送命令CMD17（ 0x51）读取单个数据块，命令发送完成后等待SD卡返回响应数据；
2、 SD卡返回正确响应数据0x00后， 准备开始解析SD卡返回的数据头0xfe；
3、 解析到数据头0xfe后，接下来接收SD卡返回的512个字节的数据；
4、 数据解析完成后，接下来接收两个字节的CRC校验值。 由于SPI模式下不对数据进行CRC校验， 可直接忽略这两个字节；
5、 校验数据接收完成后，等待8个时钟周期；
6、 拉高片选CS引脚，等待8个时钟周期后允许进行其它操作。
（我也是看了很多资料把大部分有用的发上来了，其他杂七杂八的你们自己找哈！）
想一起讨论的加我qq哈 1125854915;
