半导体9N过滤器优势 半导体行业生产通常面临诸多技术挑战；EUV光刻需过滤至 <1nm 的颗粒（接近气体分子直径），现有材料（如PTFE）面临物理极限。要求气体纯度达 99.9999999%（9N），但金属离子（如Na⁺、Fe²⁺）吸附技术尚未完全突破。腐蚀性气体（如氟气、氯气）易损坏滤膜，MOF（金属有机框架）材料在高压下易碎。硅烷（SiH₄）自燃风险：过滤系统需防爆设计，增加复杂度。全氟化合物（PFCs）减排：需集成催化分解与过滤功能，技术尚未成熟。多数过滤器无法实时监测 颗粒泄漏或滤芯寿命，依赖定期更换，造成资源浪费或意外污染。
