对于内存的超频来说，通常就是调整内存的时序，而这篇文章就是记录什么是时序。
时序即内存CL值，一般采用4个没有单位的纯数字并用-分割来表示。例如5-4-4-12
第一个数代表CAS延迟时间即CL值，内存存取数据所需的延迟时间，也是内存接收到第一条指令后要等待多少个时间周期才能继续执行。是内存超频时最重要的指标。
第二个数RAS to CAS延迟，内存行地址传输到列地址的延迟时间
第三个数RAS Prechiarge延迟，内存行地址脉冲预充电时间
第四个数Act to Prechiarge延迟，内存行地址选择延迟
越低的时序代表颗粒体质越好，超频的潜力也就越大。内存的时序会随着频率的增加而增加，内存的延迟可以用下面的公式来计算：内存延时=时序（CLx 2000 ）/内存频率。
DDR4：（CL15*2000）/2133=14ns
所以内存的时序会随着频率的增加而增加，但最后内存的延时并没有太大的变化。频率相同时，时序越低，延迟也就越小。同样，时序相同时，频率越高，延迟也就越小。
