一、MOS管的跨导gm：
其定义为，单位栅压变化下漏极电流的变化。即，Vgs对Id的控制能力，或衡量MOS管放大能力的最重要的物理量。
其公式为：
MOS管工作在不同区状态时，gm不同：
二、MOS管的体效应：
1.如何消除体效应？
将源极和衬底短接，即Vsb=0。
2.体效应的利弊？
（1）体效应会导致设计参量复杂化
（2）利用体效应进行低压电源电路设计（Vsb<0，可以减小Vth）
三、沟道长度调制效应
推导过程：
沟道长度调制效应的影响：
引起饱和区有限斜率的存在（降低放大器的输出电阻，导致偏置电流变化）
如何降低沟道长度调制效应？
短沟道器件会让沟道长度调制效应明显，采用长沟道器件可以降低沟道长度调制效应。
四、小信号模型
（1）信号相对于偏置工作点而言比较小，不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算
（2）由gm，gmb，ro等构成低频小信号模型，高频时还需加上Cgs 等寄生电容，寄生电阻（接触电阻，导电层电阻等）
1.电流公式推导
2.输出阻抗推导
由推导结果可知：
同比例增加W和L，可以在保持Id不变的情况下，增大输出阻抗
但是，会增加版图面积和寄生电容，影响频率特性。
完整的小信号模型：
