1. 三极管伏安特性引入
这里以NPN管举例：
其伏安特性曲线如下：
（1）输入特性曲线：
（2）输出特性曲线：
1.1 工作区分析
有模电基础的同学都了解，三极管有三个工作区：饱和区、放大区、截止区
（1）截止区：把 IB≤0的区域称为截止区。此时发射结上所加的电压 UBE不足以克服发射结的死区电压，甚至发射结处于反向偏置状态（ UBE＜0，所以形成的 IC（或 IE）很小，仅有很小的穿透电流 ICBO。简单来说，BE电压差不足，此时发射结没正偏。
（2）饱和区：简单来说，发射结和集电结均正偏。此时，UBE>0，三极管脱离截止区， IB>0，但是此时UCE ＜ UBE，即集电极电压不够高导致集电结也正偏了。集电结的正偏不利于集电区吸引基区的少子（电子），那么 IC≠βIB，两者之间没有控制关系，集电极电流不随基极电流而变化，好像饱和了一般，所以将这一工作区称为“饱和区”。注意，此时的三极管是没有放大能力的！
从饱和区向放大区过度时，UCE将逐渐增大，随着PN结从正偏向反偏过度，集电区对基区少子（电子，也是发射极的多子）的吸引能力越来越强， IC将迅速增大，随后脱离饱和区进入放大区，并稳定在某值。
（3）放大区：简单来说，发射结正偏和集电结反偏，发射极的多子（电子）源源不断的流向了集电极。随着UCE 的电压增大，集电结反偏，此时 IC=βIB成立，IC与IB之间呈线性的放大关系，所以称为“放大区”。此时UCE继续增大并不会影响PN结的反偏，UCE失去了对IC的控制，IB的增大时IC会随之增大。因此有种说法称三极管为“电流控制的电流源（IB对IC的控制）”。
这里可以补充一句，相对应的，MOS管是一种电压控制的电流源（UGS对ID的控制）。
MOS管和三极管的类比：
| MOS管 | 三极管 |
|---|---|
| 截止区VGS≤0 | 截止区IB≤0 |
| 线性区VGS>VTH 以及 VDS<VGS-VTH | 饱和区VCE ＜ VBE |
| 饱和区VGS>VTH 以及 VDS>VGS-VTH，电压控制的电流源（UGS对ID的控制） | 放大区VCE ＞VBE，电流控制的电流源（IB对IC的控制） |
1.2 厄利效应（Early）
视频指路：https://www.bilibili.com/video/BV1oE41197VR?from=search&seid=8688819613439439886
可以发现实际放大区电流曲线并非水平的，而是有一定的斜率，且将多条放大区电流线反向延长发现交于一点，这一点的电位称为厄利电压V_AF：
这也是为什么三极管的集电极放大区命名有很大的工作范围，但是实际电路设计中只将其规范在很小的范围内，就是为了避免厄利效应的影响，从而使得电路工作的更加线性。
三极管如此，MOS管也如此，MOS管有类似的沟道长度调制效应（有时也把它叫做厄利效应）。所以为了电路设计更为线性，对于工作于放大区的三极管，需要规范其VCE的范围，对于工作于饱和区的MOS管，需要规范其VDS的范围。
1.3 电流镜
（1）三极管搭建的电流镜：
浮：负载没有直接连接至地，浮于地；
地：负载有一端连接地，接于地；
纳：负载电流流向电流镜，吃进去了（NPN管）；
吐：负载电流流出电流镜，吐出来了（PNP管）。
（2）三极管电流镜的伏安特性：
由于厄利效应的存在，随着负载电流的增大，在三极管仍工作于放大区期间，输出电流曲线并非水平的，而是有一定的斜率。
（3）威尔逊电流镜
视频指路：https://www.bilibili.com/video/BV1KE411Z7R7?from=search&seid=8688819613439439886
这是一种改进的电流镜。
为了尽量减小厄利效应的影响，就需要保证电流镜工作时，VCE不要有太大的变动，最好是在一个很小的范围内波动。
这种威尔逊电流镜的优点：
① 使得Q1的VCE稳定在1.4V，Q2的VCE稳定在0.7V，不论外界电路怎么变，两个三极管的VCE都很稳定，因此其放大倍数也很稳定，厄利效应的影响几乎消失了。因此输出电流几乎完全不再受到负载电阻的干扰。
② 输入输出电流比值更接近于1：
（4）进一步的发展：
① 比例电流镜：在输入输出回路上加电阻，使得输入输出比值不再≈1，而是呈现一定的放大、缩小的比例关系
② 微电流电流镜（uA级）：在Q1或Q2的发射极加小电阻，使得输入电流达到微安级
③ 可以将三极管换成MOS管，也可以实现电流镜的功能：
栅漏级短接，两个PMOS工作于饱和区，理想状态下iD只受VGS的影响（忽略厄利效应），
