本篇接着上一篇,讲一个与非电路的设计、仿真、版图绘制过程。
英文原文在这里。
原理图
我们可以直接从上一个项目中复制过来,减少一些工作量。注意一定要勾选update instances
根据下图搭建好电路,check and save,这时候会有一个错误,这是因为我们是直接复制了之前反相器的项目,在symbol中的端口与这个与非电路端口未对应,我们之用去library manager 中把之前那个symbol删除掉,再次check就好了。
create --> cellview -->from cellview
按照下图画出symbol
如果中间某些线条无法对齐,可以按快捷键e
,修改snap space
原理图仿真
按照如下图搭建电路
其中信号源为vpulse
负载为容性
launce ADE L,和上一篇一样,design --> model library
,也可以直接session --> load session
仿真结果如下,如果想把两条线分开,在仿真结果的窗口中右键-->split current strip --> trace
版图
首先打开NAND的layout的cell(因为我们是直接从上一个反相器的项目复制过来的,所以里面是inverter的版图)。把pin给删掉,如下图。
复制一个pmos按照下图摆放(快捷键c),并且把ntap改为5列(选中之后按q)。
同样的方式,复制nmos,并在metal1加上连线和pin,以及另外一个metal1_poly
注意我们并不需要两个nmos中间的metal1,通过将cell打散,可以将这个pcell变成很多个block编辑。首选选中两个nmos,在菜单栏edit --> Herachy --> Flatten
然后删去metal1和contact
删除metal1时候注意在LSW中NV的使用
然后按照下图连线,加pin
之后DRC,Extract,LVS