reviewer 1

• 1. 模拟不含电流和漂移影响
  • 在文章开始 mention
  • 开始是指，introduction？simulation setup, 说过不含漂移
• 2. 选择的反常属于系数被证明是合适的，在AUG-U上于实验装置对比（V Rozhansky 2009）
  • 阅读建议的文献，发现该文献，为本文采用的适应的输运系数，提供了理论支持
  • 在输运系数对应位置添加建议的参考文献
• 3. line 120，修改鞘层边界和电势降存疑
  • 进一步证明：how
  • omitted
• 4. line 224: frication
  • 修改
  • 详细检查
• 5. 热力和摩擦力合力，两个力的合力趋近于零，[Iliya 2019 PPCF], 可能是C离子电离后与主等离子体的耦合，这些流直接指向靶板
  • 阅读文章，思考如果是流耦合的影响，如何解释。
  • 摩擦力和热力合力接近于零的与原因（两个力本身就很小）

Referee 2

• 1. fig1：二阶零点在靶板下，在计算网格区域外。mesh topology 类似于DDN，如果这样应该有四个靶板（upper and lower），因为内外靶板非常接近，outer 外靶板可能分散可观的热流。SFD是否考虑这个？请表明OMP宽度和与的关系
  • 激活二阶零点SOLPS自身的网格生成器无法实现，[Pan O]通过EMC3-Eirene网格，实现了SOLPS模拟激活二阶零点的工作，下一步会考虑研究激活二阶零点（类DDN的网格）的模拟，在TCV等装置上的确发现二阶零点对热流显著的分散作用，这是一个很好的建议。
  • OMP宽度在文中为1.5cm，可能是没有指明OMP位置。已经修改图一（显示OMP位置）
  • 不同上游密度的宽度是不同的，选择哪个？
• 2. line 92：显示表达Bohm-Chodura在边界的设置条件。
  • 是指靶板的鞘层的边界条件？
• 3. not cyro-pump, instead of "cryo-pump"
  • accepted
• 4. Section 3.1脱靶发生后碳辐射降低，是由于辐射前向上游移动，其他原因可能是溅射出的碳原子数目减少，由于入射到靶板的D流降低，评估脱靶前移动和靶板溅射的相对影响。
  • 统计靶板区域的总碳含量
  • 计算靶板的溅射产额。（ZXL）
• 5. line 144：typo “border”，instead of “broader”
  • accpeted
• 6. line 155-156,SFD D电离大概为SD的三倍，然而到达靶板的D流SFD似乎更低（从 Fig 3看出）。空间体复合的作用是什么？仅仅是更大的靶板区域？
  • 如果查看对应于总的粒子流密度，我们认为应该查看平行的粒子流密度，（平行粒子流密度SFD是SD的很多倍，见图）。对于靶板侵蚀，主要影响的是垂直粒子流（考虑靶板角度影响）,造成SFD靶板垂直粒子流更低的主导原因是SFD显著的流扩张（SFD vs. SD：120 vs. 4）。155-156讨论的总粒子为高电离区域的电离总数，非流密度。对于未将概念表示清楚造成误解，已经更正对总粒子源概念的声明。（或者？？）
  • 空间体复合的影响，仅仅是更大的靶板区域（wetted area）？辐射体积更大。
• 7. 5c(电离的靶板剖面)，单位是"", 他是固定区域的电离率，例如是外靶板到divertor entrence的积分？或者是体电离速率（"s^{-1}.m{-3}"）沿着靶板plotted？画这条线的意义是什么？
  • 为固定区域的电离率（固定的体积是每一个网格）
  • 尝试绘制空间电离率
  • 绘制5c的目的，显示靶板的电离剖面？？？
• 9. 讨论力平衡似乎是无效的，甚至是不相关。证明碳的返流被抑制，显示SOL的碳流而不是力平衡。疑问：在在靶板附近杂质自身的速度仅仅通过摩擦力和热力——满足Bohm-Chodura，
  • 已经去掉力平衡分析。通过对碳流以及背景等离子体流的分析，证明SFD抑制杂质返流。
  • 造成抑制返流的原因是什么呢？是力平衡？还是较大的背景等离子体流导致的对D流的裹挟（Iliya 2019 PPCF）?
• 10. line 237-238，200MW。已知，CFETR的聚变功率为2GW,Psol的功率为200MW。然而，已知DT聚变粒子携带1/5的聚变功率，即为400GW，是否200MW的功率损失从芯部是CFETR预期的？
  • 400GW?? 400MW
  • Ye and Hang Si, et al. 均采用200MW（200MW为CFETR预期）
  • 1/5是怎么回事？
• 11. line 242, Psol,而不是
  • accepted