这种非常高电压n通道功率MOSFET采用MDmesh™K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是显着降低导通电阻和超低门电荷的应用需要优越的功率密度和高效率
行业最低RDS(在)x区域•行业最佳FoM(绩效指标)•超低门电荷•100%雪崩测试•Zener-(13266701363protected/STL71L/STL7N80K5/STL75N8LF6/STL7N10F7/STL80N4LLF3/STL8100GCH438/STL8100GCL300/STL8110GCL270
这种非常高电压n通道功率MOSFET采用MDmesh™K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。其结果是显着降低导通电阻和超低门电荷的应用需要优越的功率密度和高效率
行业最低RDS(在)x区域•行业最佳FoM(绩效指标)•超低门电荷•100%雪崩测试•Zener-(13266701363protected/STL71L/STL7N80K5/STL75N8LF6/STL7N10F7/STL80N4LLF3/STL8100GCH438/STL8100GCL300/STL8110GCL270