TPS22917DBV器件是一款小型单通道负载开关，采用低漏电 P 沟道 MOSFET 实现最小的功率损耗。高级门控设计支持低至 1V 的工作电压，且增加的导通电阻和功率损耗极小。
TPS22917DBV可以使用外部组件独立调节上升和下降时间，以实现系统级优化。可通过调节计时电容器 (CT) 和开通时间来管理浪涌电流，且不会增加不必要的系统延迟。输出放电电阻 (QOD) 可用来调节输出下降时间。将 QOD 引脚直接连接到输出端可获得最快的下降时间，或使其保持开路以获得最慢的下降时间。
开关导通状态由数字输入控制，此输入可与低压控制信号直接连接。首次加电时，此器件使用智能下拉电阻来保持 ON 引脚不悬空，直到系统定序完成。一旦 ON 引脚被刻意驱动为高电平 (≥VIH)，智能下拉电阻 (RPD)便会断开以防止不必要的功率损耗。
TPS22917DBV器件采用方便目测检查焊点的带引线的小型 SOT-23 封装 (DBV)。此器件的工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
TPS22917DBV特性• 输入工作电压范围 (VIN)：1V 至 5.5V• 最大持续电流 (IMAX)：2A• 导通电阻 (RON):• 5VIN = 80mΩ（典型值）• 1.8VIN = 120mΩ（典型值）• 1VIN = 220mΩ（典型值）• 超低功耗：• 导通状态 (IQ)：0.5µA（典型值）• 关断状态 (ISD)：10nA（典型值）• 智能 ON 引脚下拉电阻 (RPD)：• ON ≥ VIH (ION)：10nA（最大值）• ON ≤ VIL (RPD)：750kΩ（典型值）• 可调节导通限制浪涌电流 (tON)：• 5V tON = 100µs，72mV/µs（CT = 打开）• 5V tON = 4000µs，2.3mV/µs (CT = 1000pF)• 可调节输出放电和下降时间：• 可选 QOD 电阻 ≥ 150Ω（内部）• 常开的真反向电流阻断 (RCB)：• 激活电流 (IRCB)：–500mA（典型值）• 反向泄漏电流 (IIN,RCB)：–1µA（最大值） 2574351196
