ROM的分类
在我们的日常生活中经常会听到ROM，特别是在IT领域，我们经常说手机是多少G的ROM大小，越大代表存储空间越大。本节将会对ROM做一个简单的介绍。
ROM
ROM（Read Only Memory）是其英文的首字母简称，意思是只读存储器。顾名思义，存储器就是用来存放数据的器件，而只读则代表该器件里面的数据只可以读取，不能删除也不能写入。
只读型存储器（ROM）是存储器中结构最简单的一种，它存储的信息是固定不变的。工作时，只能读出信息，不能随时写入信息，所以称为只读存储器。只读存储器常用于存储数字系统及计算机中不需改写的数据，如数据转换表及计算机操作系统程序等。ROM存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。
经过时代的发展，我们常说的ROM并不是指那些只可以写入数据的存储器，ROM这个名称已经泛指了各种各样的存储器。
在几十年前，存储器技术还不够成熟。那时候生产的ROM就是只读存储器，用户没办法写入数据到存储器里面。那时候ROM里面的数据是在产商生产的时候就写入进去的。这种ROM称之为固定ROM。也称掩膜ROM，这种ROM在制造时，厂家利用掩膜技术直接把数据写入存储器中，ROM制成后，其存储的数据也就固定不变了，用户对这类芯片无法进行任何修改。
PROM
使用掩膜ROM的用户要写入数据到存储器就必须把数据给产商，让产商在生产的时候写入ROM里面。这严重影响了生产和研发的效率，规模也无法做大。为了解决这个问题，让用户可以自己写入数据到ROM里面。人类创造出了可一次性编程的ROM，称之为PROM（Programable ROM）。
一次性可编程ROM(PROM)。PROM在出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要，利用编程器将某些单元改为0（或1）。PROM一旦进行了编程，就不能再修改了。
EPROM
人类创造出PROM可以说是一个很大的进步，但是PROM是只能写入一次的。虽然解决了让用户自己写入数据的问题，但是一次性的ROM会导致很大的浪费，一旦写入的任何一个数据出错，整个ROM都会报废。这时候，人类创造了可以擦除数据重复编程的ROM。EPROM（Eraseable Programable ROM）光可擦出可编程ROM。
EPROM是采用浮栅技术产生的可编程存储器，它的存储单元可多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存储是通过MOS管上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入的过程。编程结束后，尽管撤出了电源，但是，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄露，因此电荷分布维持不变，EPROM也就成为非易失性存储器件了。
当外部能源（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷分布才会被破坏，此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄露掉，使电路恢复到初始状态，从而擦出了所有写入的信息。这样EPROM又可以写入新的信息。
EEPROM
EPROM实现了可擦除可编程的效果，但是擦除的方式是使用光线的。那么，EPROM就不能在暴露在光线之下，否则很容易导致数据丢失。随着时代的进步，出现了一种可以用电来擦除数据的EEPROM（Electrically Eraseable Programable ROM）电可擦除可编程ROM
EEPROM的电擦除过程就是改写过程。它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。目前大多数EPROM芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，这为数字系统的设计和在线调试提供了极大方便。
Flash存储器
Flash存储器是比EEPROM更高效的新一代存储器，其最大的变化就是读写数据的巨大提升。特别是在擦除数据的时候，Flash存储器是使用块擦除的方式，可以把一整块的数据一次性擦除。我们使用的智能手机中使用的存储器就Flash存储器，在手机中删除数据的时候一般都是秒删的，速度非常的快，这正是由于Flash存储器的块擦除特性。
快闪存储器（flash memory）。快闪存储器的存储单元也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入时分开进行的，数据写入方式与EPROM相同，需要输入一个较高的电压，因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为200μs，一般一只芯片可以擦除/写入100万次以上。
