TI的新BiMOS通用运算放大器家族的第一个成员是TLC07x。BiMOS系列的概念很简单:为正在从双电源系统转向单电源系统并要求更高的交流和直流性能的BiFET用户提供升级路径。BiMOS在商业(0°C至70°C)和扩展的工业温度范围(= 40°C至125°C)范围内的额定性能为4.5 V至16v，适合广泛的音频、汽车、工业和仪器仪表应用。熟悉的功能，如偏移置空引脚，和新功能，如MSOP PowerPAD。包和关机模式，在各种应用程序中实现更高级别的性能。
采用TI的LBC3 BiCMOS专利工艺开发的新型BiMOS放大器将非常高的输入阻抗低噪声CMOS前端与高驱动双极输出级相结合，从而提供了两者的最佳性能特征。与TL07x BiFET前辈相比，交流性能的改进包括10 MHz的带宽(增加300%)和7 nV/√Hz的电压噪声(提高60%)。直流方面的改进包括将输入偏置电压降低4倍，降至标准等级的1.5 mV(最大)，并将电源抑制提高40 dB以上至130 dB。除了这些令人印象深刻的功能之外，TLC07x还能够从一个超大尺寸的MSOP PowerPAD包中舒适地驱动±50 ma负载，这将TLC07x定位为理想的高性能通用运算放大器系列。
TI的新BiMOS通用运算放大器家族的第一个成员是TLC07x。BiMOS系列的概念很简单:为正在从双电源系统转向单电源系统并要求更高的交流和直流性能的BiFET用户提供升级路径。BiMOS在商业(0°C至70°C)和扩展的工业温度范围(= 40°C至125°C)范围内的额定性能为4.5 V至16v，适合广泛的音频、汽车、工业和仪器仪表应用。熟悉的功能，如偏移置空引脚，和新功能，如MSOP PowerPAD。包和关机模式，在各种应用程序中实现更高级别的性能。
采用TI的LBC3 BiCMOS专利工艺开发的新型BiMOS放大器将非常高的输入阻抗低噪声CMOS前端与高驱动双极输出级相结合，从而提供了两者的最佳性能特征。与TL07x BiFET前辈相比，交流性能的改进包括10 MHz的带宽(增加300%)和7 nV/√Hz的电压噪声(提高60%)。直流方面的改进包括将输入偏置电压降低4倍，降至标准等级的1.5 mV(最大)，并将电源抑制提高40 dB以上至130 dB。除了这些令人印象深刻的功能之外，TLC07x还能够从一个超大尺寸的MSOP PowerPAD包中舒适地驱动±50 ma负载，这将TLC07x定位为理想的高性能通用运算放大器系列。
