W9825G6KH-6I是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织结构为4M 字 4 个存储库 16 位。 W9825G6KH 提供高达 200M 字/个的数据带宽第二。为完全符合个人电脑工业标准，W9825G6KH被分类为以下速度等级：-5、-5I、-6、-6I、-6J、-6L、-75、75J 和 75L。-5/-5I 级部件符合 200MHz/CL3 规范（-5I 工业级是保证支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C）。-6/-6I/-6J/-6L 级部件符合 166MHz/CL3 规范（-6I 工业级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C，保证-6J工业级支持 -40°C ≤ TA ≤ 105°C）。75/75J/75L 级部件符合 133MHz/CL3 规范（75J 工业加保证支持 -40°C ≤ TA ≤ 105°C 的等级）。-6L 和 75L 级部件支持最大自刷新电流 IDD6。 1.5毫安。对 SDRAM 的访问是面向突发的
W9825G6KH-6I它的特点 3.3V ± 0.3V 电源 高达 200 MHz 的时钟频率 4,194,304 个字 4 个库 16 位组织 自刷新模式：标准和低功耗 CAS 延迟：2 和 3 突发长度：1、2、4、8 和整页 突发读取、单次写入模式 由 LDQM、UDQM 控制的字节数据 掉电模式 自动预充电和受控预充电 8K 刷新周期/64 mS，@ -40°C ≤ TA ≤ 85°C 8K 刷新周期/16 mS，@ 85°C < TA ≤ 105°C 接口：LVTTL 采用 TSOP II 54 引脚封装，400 mil - 0.80，使用符合 RoHS 标准的无铅材料注意：不支持 TA > 85°C 的自刷新功能
W9825G6KH-6I 功能说明上电和初始化模式寄存器的默认上电状态未指定。以下上电和需要遵循初始化序列，以保证设备对每个用户进行预处理具体需求。在上电期间，所有 VDD 和 VDDQ 引脚必须同时上升到指定电压当输入信号保持在“NOP”状态时。上电电压不得超过 VDD + 0.3V在任何输入引脚或 VDD 电源上。上电后，需要 200 µS 的初始暂停，然后通过使用预充电命令对所有组进行预充电。防止 DQ 总线上的数据争用在上电期间，要求 DQM 和 CKE 引脚在初始暂停期间保持高电平。一旦所有银行都已预充电，必须发出模式寄存器设置命令来初始化模式寄存器。在之前或之后还需要额外的八个自动刷新周期 (CBR)编程模式寄存器以确保正确的后续操作。
