导读：NAND Flash和DRAM的强劲需求对存储芯片供应商来说将会变得前景可期，传闻近期长江存储计划跳过原定192层技术挑战232层NAND且计划2022年底量产。该计划已经超越了铠侠和三星分别于今年计划推出的162层、224层NAND。这则消息对于中国本土半导体而言无疑是振奋的好消息，但目前国内的存储芯片技术是否真正能支撑得住呢？
在半导体市场需求旺盛的引领下，去年全球半导体市场高速增长。根据WSTS统计，2021年全球半导体销售达到5559亿美元，同比增长26.2%。中国仍然是最大的半导体市场，2021年的销售额总额为1925亿美元，同比增长27.1%。其中，逻辑IC、模拟IC、传感器及存储IC市占及需求稳健提升。所以，中国存储IC市场未来可期。
但是，有市场仅是前提，紧随其后的是芯片设计和生产。从产能角度而言，根据IC Insights今年5月公布的数据显示，去年国内芯片产量只占其销售总额的不到20%。在去年国内制造的312亿美元IC中，半导体企业总部位于中国的仅占123亿美元（39.4%）。台积电、SK海力士、三星、英特尔、联华电子等其他在中国拥有的晶圆厂生产了其余的芯片。因此，中国存储IC必须克服设计和制造工艺上的不足才能够获取有力市场份额。
以DRAM为例。据OFweek电子工程网编辑了解，国外三大存储芯片供应商美光、SK海力士和三星就凭借先进的制造设备和设计工艺去年贡献了全球DRAM市场94%的市场份额，其中仅韩国SK海力士和三星就完全碾压其他对手占据全球DRAM销售额的71.3%。
国内外存储“芯片”两大阵营：DRAM和NAND Flash
国内存储IC原厂如何赶上？从2020年上半年开始，存储大厂的博弈继续加剧。三星于该年10月率先使用极紫外光刻机（EUV）技术生产14nm DRAM。SK海力士紧随其后，在2021年通过EUV生产10nm DDR5 DRAM。美光预计2024年采用EUV技术生产DRAM。反之，长鑫存储、南亚科技、华邦电子的生产工艺可能介于20nm及以上。与前者相比，后者尚处于“追赶期”。
另外，值得一提的是，国内DRAM制造商长鑫存储利用新技术工艺推出的DRAM产品已经与国际主流产品接轨并参与竞争。
目前，从“芯片”阵营上划分，国外DRAM原厂主要以韩国三星和SK海力士、美国的美光为主；中国本土存储芯片原厂DRAM主要是长鑫存储、南亚科技、力积电、华邦电子，而福建晋华DRAM芯片尚未取得进展。
接下来是NAND Flash主题。从目前来看，国外NAND Flash主要厂商主要是：韩国三星和SK海力士；美国的美光、西部数据、英特尔；及日本的铠侠；中国本土则是长江存储、武汉新芯、台湾旺宏电子为主。
这些主要的NAND芯片制造商正在为生产大容量存储芯片而竞相角逐3D NAND。如三星推出的176层、铠侠/西部数据162层、美光176层、SK海力士176层的3D NAND。
面对竞争白热化的3D NAND，国产NAND企业也是不甘示弱！在去年，长江存储128层Xtacking TLC和QLC产品已经上市。旺宏电子（MXIC）还宣布了他们的第一个48层3D NAND原型，将于2022年底或2023年初量产。
总体而言，一方面对手利用快速技术迭代抢食存储市场的步伐一直不停歇，一方面本土国产存储芯片厂商面临从制造设备、工艺设计等多重阻力，欲赶超对手尚需时间和技术创新。
针对如此，在中国仍是全球最大的半导体市场中，中国本土存储芯片厂商如何逆势突围？如何依靠国产替代优势抢占份额，又有何利用NAND等主流芯片进行市场布局？这应是当下国内存储供应链企业重点思考的问题。
