本末倒置一下，先讲结论，对于时间紧迫且无心细看者来说，也可省却拉到底部看结论的麻烦。
测试结论：
1、标称3000次寿命的MLC，实际测试，部分Block可以超过20000次；
2、每个Block都是独立的个体，每个Block的初始状况都不完全相同，尽管是同一条产线同一种工艺；
3、无论原装Nand Flash还是非原装Nand Flash都有测试的必要性，通过测试可以将闪存进行不同等级分类；
4、同一颗闪存芯片，每个Block的健康程度都是不同的，每个Block都可以被视为独立的个体；
5、闪存真实的寿命可能远远大于厂商标称，只有真正测试过，才能发挥闪存的更大价值；
6、深入理解闪存在不同P/E阶段的寿命表现，可以更好的规划ECC，才能在质保期内保证产品无故障；
7、对于希望在一定阶段将MLC mode转换为SLC的用户来说，何时开始转换至关重要，其RBER对应的P/E是最重要的参考手段；
8、一个只按闪存原厂datasheet来执行设计的工程师是一个非常非常平庸的工程师；
P/E 与误码率相关性总体情况图示：
局部放大图示
本次测试耗时108小时45分
测试方法：
1、所选择的Block有离散分布及相邻分布（2、3、1050、1051）；
2、每个Block及Block中的每个Page均使用不同的伪随机数；
3、下一次的P/E均自动在上一次的伪随机上加1，保证本次写入的伪随机数与上次完全不同；
4、每20次P/E Cycle记录一次bit错误总数；
5、Erase与Program的时间间隔为0；
6、数据共计记录22960次P/E对应的bitError（20*1148=22960）耗时108小时45分；
7、使用3000 P/E cycle Intel MLC进行测试；
8、工作表以10进制命名，如：Block3103代表Block 3103（0C1F)
测试脚本、结果请下载附件，亦可根据自身需求进行二次分析。
