在电磁兼容中，为了对抗静电放电（ESD）的影响，通常需要使用静电抑制器、TVS二极管、压敏电阻、瞬态抑制二极管和滤波器与屏蔽等。
静电抑制器：这些器件可以防止静电电荷的积累，并在发生静电放电时提供一个安全的放电路径，从而保护敏感的电子设备不受损害。
TVS二极管：也称为瞬态电压抑制器，它们能在毫秒级别内响应，将静电放电产生的高电压钳位至安全水平，以保护设备中的半导体器件。
压敏电阻：当压敏电阻两端的电压超过其阈值时，它的阻值会急剧下降，从而为静电放电提供一个低阻抗的通路，保护电路不受损害。
瞬态抑制二极管：它们可以吸收或分流高能量的电流尖峰，包括由静电放电引起的那些，从而保护设备不受损害。
滤波器与屏蔽：使用EMI滤波器可以减少外界静电放电对设备的干扰，而良好的屏蔽设计可以降低静电放电对内部电路的影响。
需要注意的是，选择哪种器件取决于具体的应用场景和需要保护的设备类型。在进行整改时，应综合考虑设备的工作环境、敏感度以及可能面临的静电放电情况，选择合适的器件进行保护。
