前言
1、要对NAND FLASH 的底层结构哟充分的了解才能在上层应用中更好得更具其所具有的特性进行相应的改进。（也许这就是所谓的深度定制吧、或者叫做优化）
参考文献：http://www.360doc.com/content/13/0408/14/4186481_276901325.shtml
http://www.ssdfans.com/nand-error%E6%9C%BA%E5%88%B6%E8%A7%A3%E6%9E%90/
内容
Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)
知道所要了解的内容的英文名字是必须的。
读、写、擦除的简单描述：
1.对于NAND Flash的写入（编程)，就是控制Control Gate去充电（字线Control Gate加压），使得悬浮门存储的电荷够多，超过阈值Vth，就表示0。
2.对于NAND Flash的擦除(Erase)，就是对悬浮门放电（位线加压），低于阀值Vth，就表示1。
3读取数据的时候给控制栅加读取电压，对于浮置栅中有电荷的单元来讲，浮置栅中的电荷可以抵消提供给控制栅的电压，造成阈值电压升高。与浮置栅中没有电荷时的情况相比，如果不给控制栅提供更高电压，则漏极-源极之间不会处于导通的状态。因此，通过向控制栅加读取电压，判断漏极-源极之间是否处于导通状态，可以判断浮置栅有没有存储电荷，进而判断该存储单元是”1″还是”0″
读、写、擦除的详细描述：
1、写
1、如图所示，绿色的Cell是写0，它们需要Program，红色的cell写1，并不需要Program。我们把绿色的Cell称为Programmed Cells，红色的Cell称为Stressed Cells。写某个Page的时候，会在其WordLine的控制极加一个正电压(下图是20V),对于Programmed Cells所在的String，它是接地的，对于不需要Program Cell所在的String，则接一正电压（下图为10V）。
2、读操作
读取NAND的某个Page时，Block当中未被选取的Page控制极都会加一个正电压，以保证未被选中的MOS管是导通的
