abstract:
（1）强调C杂质输运和对辐射分布的影响。
（2）考虑不同价态D、C的离子。
（3）平均入射离子能，粒子流密度计算W的的侵蚀率。
（4）改变C源强度和上游密度改变C杂质的分布。
（5）C主要在低温区域辐射10-20eV。
（6）LSN C输运对USN 和DN对W溅射影响较小。
（7）C6+是主要的W侵蚀源。
introduction:
（1）C杂质对脱靶的影响，C输运和C杂质的辐射功率。
（2）C杂质对W偏滤器侵蚀的潜在影响，
（3）Psol=1.5MW，0.9-3.3e19m-3。
（4）离子接触到壁，一部分再循环中性粒子返回计算区（D & D2），总再循环率固定。壁温度0.026eV。D再循环1
（5）辐射功率包括离子和中性粒子的线性辐射和韧致辐射
（6）到达靶板的总功率流包括电子、离子、复合过程（离子打击靶板复合成中性粒子）
（7）化学溅射0.01-0.1 vs. no c sputering
（8）对比不同Ychem，C杂质不显著影响上游剖面（C密度在OMP只有3.0-5.0e17）
（9）Figure3：在LOT，C起到重要作用，C导致偏滤器区域辐射显著增加，显著降低电子温度和能流，Ychem增加导致C密度峰值从0.2-1.4e19变化，nct/net增加到14%，电子密度随Te降低增加；OMP、LOT的C密度都随Ychem增加增加，C在靶板的密度比OMP高两个量级。
（10）figure4：不同Ychem对应的C密度和Te剖面，表明主要的C杂质分布在低偏滤器区域，
C+和C2+是主要价态。nc/ne在靶板低上游低（由于偏滤器区域是上游等离子体密度的两倍）；
Ychem增加，C密度显著增加；
有趣的观察到C密度峰值出现在内偏滤器（偏滤器的内外不对称性，内靶板电子温度更低，导致粒子流是从外靶板到内靶板为（为了获得压力平衡））
因此内靶板的的电子和C密度都比外靶板高，即使到达外靶板的粒子流更高（意味着在外把靶板的C源更强）；
figure4（b）表明C密度增加，Te明显降低，暗示C可以帮助在低密度实现脱靶。
（11）跨场漂移没有被包含，偏移起到重要的作用。
（12）Figure5：Ychem增加，Tet，qt,Gamma_{t}峰值变化；Tet：41-7.5eV。q_{\perp}:3.6-0.8MW。表明C可以帮助耗散能量帮助脱靶；
figure5（b），辐射功率分布，SOL+core、OD、ID。
随着Ychem增加，C辐射功率辐射占比从68%-增加到91%，表明C是很好的功率辐射，喷N2的主要原因是（和C相似的辐射属性）内外偏滤器占辐射功率的90%
AUG，辐射功率强烈依赖Ychem，当Ychem=0.015时，辐射大概被C和D均分。过高的Ychem（>0.2）不被实验观察支持。
当高密度时，发现显著的辐射不足。
MAST-U发现C在10-20eV时时很好的辐射源。
DIII-D暗示86%的辐射功率增加是源自C辐射。
Ychem依赖不同的装置和放电状态。
（13）脱靶被定义为发生{\Gmma}_{\perp}roll-over
（14）figure6（a）peak、OSP的温度、能流、粒子流；
上游密度增加，电子温度和热流显著降低。但是粒子流仍然继续增加。因此高密度节接近部分脱靶版开始点。与LSN不同，C影响很小。
对比LSN，USN的C辐射主要是影响core+sol因为偏滤器区域是主要的辐射区域，C辐射占比很小，C在USN影响很小。
（15）C杂质的影响由C密度和分布决定。
（16）figure7（a），C密度在OMP和UOT：等离子体密度增加，OMPnc变化很小，nc在UOT降低。解释：上游密度增加Te降低，压制C的输运（由于很小的朝向靶板的平行速度（导致杂质到达靶板））。
值得注意的是nc在OMP比UOT高一个量级；总碳密度受输运系数的影响。figure7(b) n_({e，sep，OPM}=1.6E19,nc的分布。
最高的nc在低偏滤器靶板，C杂质的输运内（高价态）和外（低价态）；
C 很难到达上靶板，（both 内外侧）。特别是PFR，nc峰值出现在源力达机电位置（UOT）。
4、discussion and conclusion
（1）C是很好的辐射因子，导致主要的辐射，C可以降低电子温度和热流，实现脱靶。
（2）C更喜欢待在偏滤器区域（产生区域），低X点区域等离子状态随C强度的增加变化很小。
（3）C杂质在内腿的积累更多。和内外不对称性和压力平衡相关。
（4）增加C强度可以显著增加偏滤器区域C的密度。帮助实现脱靶。跨场输运没有包含，EXB 漂移可以显著改变等离子体流的再分布。
