生产情况反馈：
①Array in Plan： 1180sh Act：1220sh
Array out Plan： 600sh Act: 605sh
②重点工序Movment：
PH Mov：7.5K：Down: PH04 LC异物检知91Min；PH05 TK INDX DN 90Min；PH13曝光机灭灯 145Min；PH11 曝光机碎片 ＞120Min；Loss：0.44K；
AL SP: 0.7K；SP07 PM ＞405Min；
Cu SP: 2.1K；SP09 Run 1G EN 195Min；
③生产问题点：
a：PH14 8EK 1st ITO Mask Confirm 二次CD NG,目前第三次CD Split测试中＞11H；
b：1/28 PH10 Cleaner Brush步进电机驱动器损坏412min，11.45 RF VIA Mask confirm进度Delay 3H，目前第一遍CD NG ,第二遍进行中＞3H，2款Confirm关注
④Array N9/11DQ进度：
a:14PJ:①因12.71G/14PK EN IGZO Anneal冲突Delay 2D ②GI Etch与12.71G/14PK GI Etch冲突 Delay 1D，目前先行Buffer Dep，Main Lot：SD Dep/Mask持续对应无异常；
b:11DQ ：先行GI Strip进行中, Main: IGZO/GI层正常进行，无异常；
