写点什么呢？不能让脑子空白又一天，还是细想今天的一天的细节。
关于工作项目上的事情，今天接着验证了如下细节，测试，Q7处mos的驱动信号与该mos的D极与S极的波形，开机过程中，测试发现，驱动信号开始有120ms左右的驱动信号不足以使得mos(2N7002)导通，这个过程中，发现电压只有正常的高电位的一半，3.3v的MCU供电，这个电压只有1点几伏，原来是由于IO口外部有一个20K的上拉电阻，然后通过一个2K的电阻到MOS，MOS的G极处有一个下拉的10K电阻。上电的时候，由于MCU还未初始化完成，IO口并未直接输出高低电平，这个时候由于电阻分压，落到MOS的G极处电压就只有1.125V左右，这样的话，MOS是驱动不了的，最终MOS的D-S极是无法导通的。这样的结局是本来要通过这个MOS需要控制PFC电源关闭工作的，但是由于MOS未开启导致PFC的使能没有控制住，PFC电路在直接上电的120ms内是工作状态的。这样导致了一个问题，因为我们的设计上有一个PFC过流异常保护，它的具体检测细节是这样的，当上电过程中检测到PFC的工作电流超过2A的时候，提示PFC过流异常，并且在显示面板上出现E6提示符。软件的算法是这样的，上电的时候，在50ms内检测50次PFC过流信号，取平均，如果数值大于2A对应的AD值，则判断为过流异常。目前由于这个PFC使能的差异，造成了PFC的过流异常概率大增。我们在一块异常板子上，尝试修改软件的取样时间，将取样时间由50ms更改为100ms，200ms均发现于事无补。后来直接没有更改取样时间，将过流的2A阈值提高到4A，这样在异常板子上实测，不停的开关机，E6过流故障再无出现。
关于为什么设置PFC的过流阈值为2A，经过查证，原来是客户定义的，此时去问询客户为什么定这个值，已经是无从考究了。
我们出现这个问题的 项目是之前量产项目的衍生项目，原理几乎一致，不过在这个PFC的en使能控制上有区别，我们的新版本在MOS的G极增加了一个10K的下拉电阻，而原量产的设计上的下拉电阻是NC状态。这个细节差异最终造成了我们客诉的E6问题。
关于为什么在新版本上增加下拉电阻，溯源后发现是因为在新版本上这个MOS找了一个国产替代料，原下拉电阻NC时候，发现这个国产MOS无法关闭控制，所以后来增加了一个10K的下拉电阻。只是遗憾的是，虽然考虑了国产MOS替代，可后来上系统BOM的时候，还是没有增加这个物料，但是 这个信息却被忽略了，产品设计上，一直让这个10K下拉电阻是贴装的，所以即使后来没有使用国产替代物料 ，这个下拉电阻也沿用下拉了。
如果不是客户反馈这个异常，我们算是不知道这个设计的差异会如此之大。
关于这点的思考，我总结了如下几点：
1、衍生项目，所有原来 的 差异点，都要认真审核，确保理论上无问题，进而还需要去实际测试验证，特别是驱动信号，需要用示波器来对比 变更前后的信号差异。
2、变更过程需要履历，方便审核变更前后的差异。
以后做项目需谨慎，不能再大意失荆州！
