一、结构与简介：
1、结构图：
①、Nand Flash 以bit的方式保存数据在memory cell中。通常一个cell存一个bit。cell以8或者16为单位连成bit line，形成 byte(x8)/word(x16)，即位宽。Page由Line组成。
②、每个 Nand Flash 设备由多个块（block）组成。每个块（block）由多个页（page）组成。
③、每个页（page）由普通区域和OOB区组成。普通区域存放读写数据，OOB区域存放校验码。
④、向页内写数据时可能发生位反转。所以需要产生校验码，并存入OOB区。从页内读数据时同时读出校验码，纠正位反转。
⑤、OOB区首字节存放block状态。如果是 0xff，表明是好的。如果非 0xff，则是坏块。 OOB对 CPU 来说透明（out of bank）。
⑥、页（page）是 Nand Flash 的最小读写单元。块（block）是 Nand Flash 的最小擦除单元 。
⑦、对 Nand Flash 来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。
2、原理图：
3、操作命令（不同 Nand Flash 或有差异）：
3、操作步骤：片选选中 ==> 发命令 ==> 发地址 ==> 传输数据
①、发命令：拉高 CLE ==> 用DATA线写命令（写寄存器） ==> 发写脉冲
②、发地址：拉高 ALE ==> 用DATA线写地址（写寄存器） ==> 发写脉冲
③、发数据：拉低 ALE，CLE ==> 用DATA线写数据（写寄存器） ==> 发写脉冲
④、读数据：拉低 ALE，CLE ==> 发读脉冲 ==> 用DATA线读数据（读寄存器）
二、ECC校验：
三、Nand Flash 移植：
1、初始化：（根据不同型号 Nand Flash 的 datasheet，配置寄存器）
①、设置时序。
②、初始化 Nand Flash 控制器。
③、初始化ECC。并禁止片选，以防误操作。（及一些其他操作）
④、如有必要，进行重定位（拷贝到内存）。
2、识别（读芯片信息）：
①、使能片选。
②、发送命令和地址周期，并读数据。注意设延迟。
Ⅰ、根据时序图设延时。必要时读取寄存器并判断操作是否完成，没完成则等待。
Ⅱ、地址根据 datasheet 设置，按位数及顺序依次写入。（行列地址分别写入）
③、取消片选使能。
3、擦除（一次擦除一个 block）：
①、使能片选。
②、发送命令和地址周期。（只需要行地址 page）
③、发出擦除命令，延迟等待擦除结束。（擦除一个块。如有需要，则循环操作）
④、取消片选使能。
4、读（一次读一个 page）：
①、判断坏块，坏的跳过。
②、使能片选。
③、发送命令和地址周期，及读命令，延迟等待。
④、读数据（数据寄存器中的值）。
⑤、取消片选使能。
4、烧写（一次写一个 page）：
①、使能片选。
②、发送命令和地址周期。
③、发出要烧写的数据（地址不一定从页首位开始）。判断大小，如果超过一页大小，则写入下页。依次循环。
④、发出烧写命令。延迟等待烧写结束。
⑤、更新行列的值，判断循环，写入下一页。
⑥、取消片选使能。
5、数据定位：行（page）与列（column）
①、行与列的定位：与传入地址 addr，页大小 pagesize 有关。等决定具体参照芯片手册。
②、行（page）：page = addr / pagesize; 或 page = addr >> bitnum; 2的 bitnum 次方等于 pagesize
③、列（column）：column = addr % pagesize; 或 column = addr & (pagesize - 1);
