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心芯之火·第十一章 淬火（3）
二零二零年四月，华夏芯的十四纳米量产良率突破了百分之九十五。
比梁衡之预定的时间晚了将近一个月。但这一个月的延迟，不是因为技术问题，而是因为国产替代导致的磨合期阵痛。中微的刻蚀机在连续运转五百小时后，射频电源出现了一次故障，导致整批晶圆报废；北方华创的薄膜设备在切换工艺配方时，温度稳定性不如Applied的设备，导致薄膜厚度均匀性波动了百分之二；上海微电子的光刻机在对准时，偶尔会出现零点几纳米的随机偏差，需要人工干预才能纠正。
每一个问题都让梁衡之的头发白了几根。但每一个问题都被解决了。射频电源换成了国产的备份件，虽然寿命不如进口的长，但至少能撑到国产电源厂商做出更好的产品；温度稳定性通过修改温控算法和加装辅助加热器得到了改善，波动从百分之二降到了百分之一以内；对准偏差通过优化曝光序列和增加检测频次得到了控制，随机误差出现的概率从百分之五降到了百分之一。
这些问题解决之后，Fab8的工程师们发现自己学到了一个新东西——他们不再只是设备的操作者，而是设备的理解者。以前，设备出了问题，他们只会打电话给供应商的售后服务工程师，让供应商来修。现在，供应商的售后服务工程师也搞不定了——因为供应商是美国的，美国的工程师被出口管制挡在了国门之外。Fab8的工程师们只能自己拆开设备的外壳，拿着万用表和示波器，一根线一根线地查，一个板卡一个板卡地测。
何瑞华在那一个月里学会了用示波器测量射频电源的输出波形。陈思远学会了用质谱仪分析刻蚀腔室内的气体成分。王磊学会了用原子力显微镜测量薄膜的表面粗糙度。他们不是在读书，不是在培训，是在实战中被迫学会了这些技能。
梁衡之站在Fab8的中控室里，看着那些年轻工程师们在设备旁边忙碌的身影，忽然想起了自己在钛半导体的岁月。那时候他也是这样，在一知半解中摸索，在无数次的失败中积累经验，在一台台设备的外壳上留下汗水。他没有老师，没有教材，没有人告诉他该怎么做。他只能靠自己。
但这些年轻人比他幸运。他们有他。
二零二零年五月，钛半导体宣布在美国亚利桑那州建设五纳米晶圆厂。
消息传来的时候，华夏芯的董事会里弥漫着一种压抑的气氛。五纳米——华夏芯的七纳米还在实验室里挣扎，十四纳米才刚刚量产，而钛半导体已经在建五纳米的厂了。三个世代的差距，至少五年的技术代差。
周文远在董事会上问了一个问题：“我们和钛半导体的差距，什么时候能缩小到两代以内？”
没有人回答。
蒋崇岳低着头，看着面前的文件。赵海军望着窗外，表情凝重。其他的董事们面面相觑，没有人敢开口。
梁衡之开口了。
“五年。”他说。
所有人的目光都集中到他身上。
“如果我们按部就班地发展，五年之后，我们和钛半导体的差距会缩小到两代以内。如果我们在某些技术上实现突破，这个时间可能会更短。但前提是——我们不要自己乱了自己的阵脚。”
“乱了自己的阵脚”是什么意思？在场的人都明白，但没有一个人说出来。梁衡之说的“乱阵脚”，指的是内部的人事斗争、权力博弈、资源争夺——这些在华夏芯历史上从未停止过的内耗。
周文远咳嗽了一声，打破了沉默。“梁博士，您说的‘技术突破’，具体指什么？”
“多重曝光。”梁衡之站起来，走到会议室的白板前，拿起马克笔画了一张示意图，“我们没有EUV光刻机，但我们可以用DUV光刻机通过多次曝光来实现等效的线宽。一层图案拆成两层、三层甚至四层来曝光，在晶圆上叠加出我们需要的图形。这个技术路线，钛半导体和星辰集团在二十八纳米时代就用过，但他们有EUV之后就不用了。我们没有EUV，所以我们必须把多重曝光技术推到极致——用四层、五层、甚至六层曝光来实现七纳米甚至五纳米的线宽。”
他画完示意图，转过身来。
“这条路很难走。每一层曝光之间的对准误差会累积，光刻胶的厚度控制会变得极其苛刻，刻蚀的选择比会受到严峻考验。但这条路是通的。我已经在脑海里跑过模型了。”
会议室里又安静了。
蒋崇岳抬起头来，透过金丝眼镜看着梁衡之。“梁博士，您说的‘在脑海里跑过模型’，是指您已经推演过整个工艺流程？”
“推演了。”
“推演到哪一步了？”
“到第一层金属互连。”
蒋崇岳沉默了很久。他的右手又开始微微颤抖了，那种帕金森氏症的早期症状，在紧张的时候会加重。他看着白板上那张多重曝光的示意图，看着那些密密麻麻的箭头和方框，看着梁衡之用红笔标注的每一个关键控制点。
“梁博士，”他最终说，“如果这个方案能成，您会是全世界第一个在没有EUV的情况下做出七纳米的人。”
梁衡之没有回答。他把马克笔的笔帽盖上，放回笔槽。
“蒋副总，我不是想做第一个。我只是没有选择。”
