240 发简信
IP属地:北京
个人介绍
本人系北京有色金属研究总院、有研半导体材料股份有限公司高级工程师。
自1963年年底至今,一直从事半导体材料“锗和硅”领域的科研、试制、生产工作。
1963年底参加了我国第一条《半导体材料锗(Ge)单晶试制生产线》项目工程筹建工程的“土建、设备安装、调试、验收及生产的全过程”的相关工作。此后相继参加了“直拉锗(Ge)单晶、水平锗(Ge)的重掺砷(As)、重掺汞(Hg)的锗(Ge)单晶的研制、生产”等的技术工作。
1968年 ~ 1984年从事“硅离子注入机”的研制及“硅离子注入工艺”研究等工作。
1984年后至今几从事着“半导体材料硅(Si)直径2 ~ 3 ~ 4 ~ 6 ~ 8 ~ 12英寸硅(Si)单晶抛光片”领域一系列科研、攻关、试制、生产项目的技术工作。共获得国家、部市级奖15项(国家、部级科技进步二等奖4项、部级科技进步一等奖2项和三等奖4项、其它科技进步二、三等奖5项)。
2003年7月,参加《国内外半导体材料标准汇编》一书中有关SEMI标准译稿的编审工作。《国内外半导体材料标准汇编》一书已于2004年3月由“中国标准出版社”出版发行。之后编著出版了《硅单晶抛光片的加工技术》和《硅片的加工技术》专著。
2019年在在十多年前所编著出版的《硅单晶抛光片的加工技术》和《硅片加工技术》“两本著书”内容的基础上对其内容进行增删、重新整理,并且又补充增加了近十年来一些相关的新的内容而重新编著成《芯片用硅晶片的加工技术》一书以提供给致力于从事半导体硅(Si)晶片加工领域的工程技术人员、企业管理人员或在校学生和热爱半导体材料硅(Si)的各界朋友参考、使用。(专著待
出版)。 近几年有机、有缘仍为“直径300 mm硅抛光生产线”某些项目建设做一些相关技术工作。